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J-GLOBAL ID:201802229485906574   整理番号:18A0152736

リチウム貯蔵のためのSnO_2@C量子ドット/グラフェン酸化物ナノシートにおけるSnO_2の超高可逆性【Powered by NICT】

Ultrahigh Reversibility of SnO2 in SnO2@C Quantum Dots/Graphene Oxide Nanosheets for Lithium Storage
著者 (7件):
資料名:
巻:号: 35  ページ: 11853-11859  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2528A  ISSN: 2365-6549  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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リチウムイオン電池のための市販のグラファイトアノードのための有望な置換の中で,SnO_2グラファイト(O要素は完全に可逆的であれば)の4回理論容量を有するが,酸素再利用は電子とLi~+イオンの両方の低い伝導率によって大きく損なわれる。本研究では,グラフェン酸化物にグラフトしたSnO_2@C量子ドット(QDs,3.37nmの平均直径をもつ)の新しい三元アーキテクチャ,容易でスケーラブルなワンポット水熱法によりSnO_2@C/G,と表示を提案した。SnO_2@C/Gは異常な長期サイクル性能(300サイクル後に200mA g~( 1)で1080mAh/g~( 1))と定格(2Ag~( 1)で~840mAh/g~( 1))を示した。炭素の寄与を除外した場合,SnO_2の比容量は,その理論的容量の200mA g~( 1),96.9%で1447mAh/g~( 1)である。並外れた性能はSnO_2QDs,良好な構造安定性,と非常に良好なイオン/電子拡散XPS,TEM,EIS,それぞれの超高可逆性に起因している。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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