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J-GLOBAL ID:201802229529112365   整理番号:18A2234433

SCAPS-1Dを用いたSb_2Te_3裏面電界層を有するZnTeベース太陽電池の数値解析【JST・京大機械翻訳】

Numerical Analysis of ZnTe Based Solar Cell with Sb2Te3 Back Surface Field Layer Using SCAPS-1D
著者 (2件):
資料名:
巻: 2018  号: WCPEC  ページ: 1852-1857  発行年: 2018年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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本論文は,以下の構造を有するZnTeベースの太陽電池の最適化を提示した:SnO_2/n-ZnO/n-CdS/p-ZnTe/Sb_2Te_3/BC(Cu),Sb_2Te_3を背面接触における少数キャリア再結合を減少させるために背面電界層として挿入した。0.1μmの薄い吸収層(ZnTe)を有するSCAPS-1Dシミュレータを用いて,18.33%(V_oc=0.47V,J_sc=57.75mA/cm2,FF=67%)の効率を達成した。窓層(ZnO),吸収層(ZnTe)およびバッファ層(CdS)の厚さも最適化し,結果を本論文で提示した。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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