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J-GLOBAL ID:201802229593642565   整理番号:18A0936585

半充満1D Hubbard模型におけるバリスティック電荷輸送の欠如【JST・京大機械翻訳】

Absence of ballistic charge transport in the half-filled 1D Hubbard model
著者 (6件):
資料名:
巻: 930  ページ: 418-498  発行年: 2018年 
JST資料番号: B0781A  ISSN: 0550-3213  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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格子長さL→∞,正孔濃度mηz=-2Sηz/L=1-ne→0,非零温度T>0,U/t>0の熱力学的極限において,第一近接移動積分tとオンサイト反発Uを持つ一次元Hubbard模型の電荷剛性は有限か消滅し,異なるアプローチが矛盾する結果をもたらす。(ここでSηz=-(L-Ne)/2はη-スピン射影とne=Ne/Lであった。この論文では,電荷剛性の上限を与え,T>0とU/t>0では,熱力学極限L→∞の正準集団内のmηz→0に対して消滅する。さらに,高温T→∞において,電荷剛性は,L→∞に対してグランドカノニカル集合内で,また,(μ-μu)≧0および2μuがMott-Hubbardギャップである化学ポテンシャルμ→μuの範囲内で消失することを示した。電荷バリスティック輸送の欠如は,有限温度での電荷輸送が拡散寄与により支配されることを示した。著者らのスキームは,単一占有および二重占有格子サイトの数がU/t>0に対して良好な量子数である回転電子に関する電子の適切な正確な表現を用いた。しばしば制御できない数値研究とは対照的に,このような表現の使用は電荷プローブに結合するキャリアを明らかにし,研究中の1D電子相関系のエキゾチック電荷輸送特性の背後にある微視的過程に関する有用な物理的情報を提供する。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
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場の理論一般  ,  ゲージ場理論 

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