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J-GLOBAL ID：201802229803400015   整理番号：18A1691593

イオン照射によるSi表面層の欠陥形成とEBSDによる残留歪み解析

著者 (6件)： 武田陽佑 (北大 工) ,  近藤創介 (京大 エネ研) ,  近藤創介 (東北大 金属材料研) ,  檜木達也 (京大 エネ研) ,  中川祐貴 (北大) ,  柴山環樹 (北大)
資料名： 日本金属学会講演概要(CD-ROM)  (Collected Abstracts of Spring Meeting of the Japan Institute Metals and Materials (CD-ROM))
巻： 163rd  ページ： ROMBUNNO.P170  発行年： 2018年09月05日 
JST資料番号： S0988B  ISSN： 2433-3093  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ケイ素 ,  単結晶 ,  *イオン照射 ,  走査電子顕微鏡 ,  電界放出 ,  電子回折 ,  *残留歪 ,  格子欠陥 ,  質量数 ,  侵入度 ,  化学種 ,  アモルファス化 ,  イオン種 ,  ヘリウムイオン ,  *弾性歪 ,  鉄イオン
準シソーラス用語： EBSD法 ,  *照射条件 ,  侵入深さ

分類 (1件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

タイトルに関連する用語 (7件)： イオン照射 ,  Si ,  表面層 ,  欠陥形成 ,  EBSD ,  残留歪み ,  解析