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J-GLOBAL ID：201802229981437874   整理番号：18A0729195

65nm CMOSにおけるGM増強と電流再利用による0.6mW 1.6dB雑音指数インダクタレス分路フィードバック広帯域LNA【JST・京大機械翻訳】

A 0.6 mW 1.6 dB Noise Figure Inductorless Shunt Feedback Wideband LNA With Gm Enhancement and Current Reuse in 65 nm CMOS

著者 (4件)： Ghosh Narendra Nath ,  Lenka Prakash Kumar ,  G SriHarsa Vardan ,  Dutta Ashudeb
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： VLSID  ページ： 335-340  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,0.2~3.2GHzの間の多重標準無線応用のための無インダクタ低電力差動低雑音増幅器(LNA)の設計について述べた。従来,低電力シャントフィードバックに基づくLNA雑音性能は,MOSトランジスタの低い固有のgmに起因する。低電力設計における雑音性能劣化を克服するために,Gmブーストと電流再利用技術の両方を組み込んだ単一ステージ差動シャントフィードバックLNAを提案した。提案した技術と共に,従来のインダクタなしのシャントフィードバックベースLNAの詳細な解析を提供した。それは,超低電力設計制約の下でサイジングとバイアス最適化の後の異なる性能パラメータの間の良好なトレードオフを提供する。提案した技術は65nm CMOS技術で実現し,0.25mm2の活性面積を占める。それは1.6dBのNFで13.5dBの電力利得を示し,0.6mWの電力だけを消費した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *雑音 ,  低雑音増幅器 ,  バイアス ,  雑音特性 ,  *広帯域 ,  最適化 ,  *フィードバック ,  *バイパス ,  *雑音指数 ,  電力 ,  *CMOS
準シソーラス用語： 超低消費電力 ,  性能劣化 ,  低電力化 ,  *電流再利用 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 増幅回路  (NC05040U)

タイトルに関連する用語 (8件)： CMOS ,  増強 ,  電流再利用 ,  雑音指数 ,  分路 ,  フィードバック ,  広帯域 ,  LNA