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J-GLOBAL ID：201802230018118467   整理番号：18A1426879

超短トランジスタのQDDシミュレーションのための弾道移動度モデル【JST・京大機械翻訳】

Ballistic Mobility Model for QDD Simulation of Ultra-short Transistors

著者 (2件)： Aguirre P. (Integrated Systems Laboratory, ETH Zuerich, Zuerich, CH 8092, Switzerland) ,  Schenk A. (Integrated Systems Laboratory, ETH Zuerich, Zuerich, CH 8092, Switzerland)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： EDTM  ページ： 77-79  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 量子ドリフト拡散(QDD)シミュレーションに使用できる弾道移動度の局所TCADモデルを提案した。これは,密度勾配補正とソースからドレインへのトンネリング(STDT)のモデルと組み合わせることができる。これらの量子効果は,超短チャネルを持つIn_0.53Ga_0.47As二重ゲート超薄体(DG UTB)FETの移動特性に強く影響する。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *シミュレーション ,  *トランジスタ ,  *モデル ,  トンネル効果 ,  量子効果 ,  *移動度
準シソーラス用語： 二重ゲート ,  短チャネル ,  密度勾配 ,  TCAD ,  ドリフト拡散 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： トランジスタ ,  シミュレーション ,  弾道 ,  移動度 ,  モデル