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J-GLOBAL ID：201802230052562967   整理番号：18A0058614

CeドーピングによるCdSe/CdS量子ドットのチューナブル発光特性

Tunable emission properties of CdSe/CdS quantum dots by Ce doping

著者 (5件)： JEONG Wonwoo (Pusan National Univ., Busan, KOR) ,  HUI Kwan San (Univ. East Anglia, Norwich, GBR) ,  HUI Kwun Nam (Univ. Macau, Macau, CHN) ,  CHO Young Rae (Pusan National Univ., Busan, KOR) ,  CHO Kyung Mox (Pusan National Univ., Busan, KOR)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 28  号： 22  ページ： 17331-17337  発行年： 2017年11月 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ワンステップ水熱法でCe³⁺イオンドープCdSe/CdSコアシェル量子ドット(QD)を制作した。Ceドーピング濃度を増やすと格子パラメータは線形に増加し,Ce³⁺がCdSe/CdS QDに結合していることを示している。CeドープCdSe/CdS QDのバンドギャップは,Ceモル比の増加による大きな粒径と量子閉じ込め効果のためにCeドーパント増加で青方偏移を示した。PLの結果は,Ceドーパント濃度を変えることによってピーク位置を538から569nmに容易に調節できることを示している。549nmの発光ピークはCeドーパント濃度によるものである。

シソーラス用語： セリウム ,  ドーピング ,  *セレン化カドミウム ,  *硫化カドミウム ,  *量子ドット ,  特性 ,  水熱合成 ,  コアシェル構造 ,  格子定数 ,  バンドギャップ ,  量子閉込め ,  青方偏移 ,  光ルミネセンス ,  スペクトル
準シソーラス用語： フォトルミネセンス ,  フォトルミネセンススペクトル ,  格子パラメータ ,  水熱法 ,  *発光特性

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (7件)： Ce ,  ドーピング ,  CdSe ,  CdS ,  量子ドット ,  チューナ ,  発光特性