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J-GLOBAL ID：201802230078269496   整理番号：18A2164205

Doherty電力増幅器のためのゲートバイアス変調【JST・京大機械翻訳】

Gate Bias Modulation for Doherty Power Amplifier

著者 (5件)： Ahmed Abdulrhman (NXP Semiconductors, Chandler, USA) ,  Khalil Ibrahim (NXP Semiconductors, Chandler, USA) ,  Masood Mir (NXP Semiconductors, Chandler, USA) ,  Holt John (NXP Semiconductors, Chandler, USA) ,  Staudinger Joseph (NXP Semiconductors, Chandler, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： EuMC  ページ： 531-534  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,ピーク電力の性能増強とピーク増幅器のゲートバイアス変調(GBM)の応用によるDoherty増幅器の効率を実証した。アーキテクチャを証明するために,2110MHzから2170MHzまでの周波数を目標とする2つのNXP LDMOS電力トランジスタの周りに対称的なDoherty増幅器を設計した。測定された性能は,GBMがピーク電力の1dB以上の増加を提供し,一方,3パーセントポイントにより効率を改善することを示した。さらに,3つのキャリア-長期間発展(LTE)信号を増幅するときに,GBM Doherty増幅器を,52dB近傍のチャネル電力比よりも良好な性能を達成するために,ディジタルPre-Distortion(DPD)を用いて線形化できることを示した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ディジタル方式 ,  *増幅器 ,  計算機アーキテクチャ ,  電力トランジスタ ,  *電力 ,  *電力増幅器 ,  チャネル ,  対称性
準シソーラス用語： 線形化 ,  LDMOS ,  Doherty増幅器 ,  ピーク電力 ,  *ゲートバイアス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (3件)： 電力増幅器 ,  ゲートバイアス ,  変調