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J-GLOBAL ID：201802230118194123   整理番号：18A1028670

CdTeにおけるドーパント取り込みの空間分布【JST・京大機械翻訳】

Spatial distribution of dopant incorporation in CdTe

著者 (7件)： Guthrey Harvey (National Renewable Energy Laboratory, Golden, Colorado, 80401, United States) ,  Moseley John (National Renewable Energy Laboratory, Golden, Colorado, 80401, United States) ,  Colegrove Eric (National Renewable Energy Laboratory, Golden, Colorado, 80401, United States) ,  Burst James (National Renewable Energy Laboratory, Golden, Colorado, 80401, United States) ,  Albin David (National Renewable Energy Laboratory, Golden, Colorado, 80401, United States) ,  Metzger Wyatt (National Renewable Energy Laboratory, Golden, Colorado, 80401, United States) ,  Al-Jassim Mowafak (National Renewable Energy Laboratory, Golden, Colorado, 80401, United States)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： PVSC  ページ： 1-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,ドーパント元素がCdTeにどのように組み込まれているかを調べるために,CL発光のスペクトルごとのマッピングを提供する最先端の陰極線ルミネセンス(CL)スペクトルイメージングを用いた。発光スペクトルと強度を用いて,理論モデリングに基づくCL発光の特性変化を通して付加的電荷キャリアの空間分布を監視した。著者らの結果は,結晶粒界がCdTe中へのドーパントの取り込みにおいて,本質的か外因性かの役割を果たしていることを示している。このタイプの分析は,高いキャリア濃度値に達するためにstruggされたCdTe光起電力材料におけるドーパントの取り込みを最適化する異なる処理スケジュールを設計するためのフィードバックを提供するために重要である。ここでは,銅,リン,および真性ドーピング処理に曝されたCdTe膜に関する結果を示す。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 銅 ,  光起電力 ,  スペクトル ,  結晶粒界 ,  発光 ,  最適化 ,  *ドーパント ,  *テルル化カドミウム ,  発光スペクトル ,  モデリング ,  ドーピング ,  リン ,  *空間分布 ,  キャリア密度
準シソーラス用語： 電荷キャリア , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  太陽電池  (NC03084O) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： CdTe ,  ドーパント ,  取り込み ,  空間分布