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J-GLOBAL ID:201802230191931608   整理番号:18A1899340

低ポンピングしきい値GeSn/SiGeSn多重量子井戸レーザ【JST・京大機械翻訳】

Low Pumping Threshold GeSn/SiGeSn Multiple Quatum Well Lasers
著者 (7件):
資料名:
巻: 2018  号: GFP  ページ: 1-2  発行年: 2018年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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GeSn/SiGeSn多重量子井戸構造をGe擬基板上の低温反応性ガス源エピタクシーにより成長させた。MQW構造はI型バンド配列を示した。光学的にポンプしたμディスクレーザは40kW/cm2のしきい値を示し,光励起レーザ発振を得た。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (1件):
分類
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図形・画像処理一般 
タイトルに関連する用語 (3件):
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