文献

J-GLOBAL ID：201802230238112556   整理番号：18A0723760

Sb_xW_1-xSe_2単結晶の構造,電気および光学特性の研究【JST・京大機械翻訳】

Investigation of structural, electrical and optical properties of Sb_XW_1-XSe₂ single crystals

著者 (8件)： Patel Abhishek (Department of Physics, Sardar Patel University, Vallabh Vidyanagar, Anand 388120, India) ,  Pataniya Pratik (Department of Physics, Sardar Patel University, Vallabh Vidyanagar, Anand 388120, India) ,  Narayan Som (Department of Physics, Faculty of Science, M.S. University of Baroda, Vadodara 39000, India) ,  Sumesh C.K. (Department of Physical Sciences, P D Patel Institute of Applied Sciences, Charotar University of Science & Technology, Changa 388421, Gujarat, India) ,  Pathak V.M. (Department of Physics, Sardar Patel University, Vallabh Vidyanagar, Anand 388120, India) ,  Solanki G.K. (Department of Physics, Sardar Patel University, Vallabh Vidyanagar, Anand 388120, India) ,  Patel K.D. (Department of Physics, Sardar Patel University, Vallabh Vidyanagar, Anand 388120, India) ,  Jha Prafulla K. (Department of Physics, Faculty of Science, M.S. University of Baroda, Vadodara 39000, India)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 81  ページ： 108-112  発行年： 2018年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文は,直接蒸気輸送技術によって成長させたSb_XW_1-xSe_2(X=0,0.1)単結晶の系統的研究を提示した。X線(EDAX)のエネルギー分散分析により純度と化学量論を試験した。成長した化合物の格子構造を調べるために,粉末X線回折を行った。Sb_0.1W_0.9Se_2結晶の表面形態を光学顕微鏡と走査電子顕微鏡によってチェックした。透過型電子顕微鏡を用いて,成長した試料の結晶性を検証した。c軸に平行及び垂直な電気抵抗率の変化を303~673Kの温度範囲で測定した。結果は,成長した単結晶の半導体挙動と異方性電荷伝導を示した。n型半導体特性をHall効果測定により確認した。光学バンドギャップをUV-可視-NIR分光法で測定した。Ramanスペクトルも,785nmの励起を用いて,成長したSb_XW_1-xSe_2(X=0,0.1)単結晶から得た。得られた結果は,W+4格子サイトへのSb+5の置換ドーピングを示唆した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： N型半導体 ,  結晶度 ,  光学顕微鏡 ,  ドーピング ,  *結晶 ,  走査電子顕微鏡 ,  Hall効果 ,  透過型電子顕微鏡 ,  *光学的性質 ,  電気抵抗率 ,  Ramanスペクトル ,  *単結晶 ,  格子構造 ,  光学ギャップ
準シソーラス用語： 粉末X線回折 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 単結晶の成長 ,  n型ドーピング ,  Urbachのエネルギー ,  Sb_0.1W_0.9Se_2単結晶

分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (3件)： 単結晶 ,  光学特性 ,  研究