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J-GLOBAL ID：201802230342262803   整理番号：18A1471128

SiハイブリッドMOS位相シフタを用いた光変調器の展望

Perspective of optical modulator using Si hybrid MOS phase shifter

著者 (2件)： 竹中充 (東大 大学院工学系研究科) ,  高木信一 (東大 大学院工学系研究科)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 118  号： 129(LQE2018 20-35)  ページ： 43-46  発行年： 2018年07月05日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 我々はシリコン導波路上に化合物半導体薄膜をゲート絶縁膜を介して貼り合わせたハイブリッドMOS構造を提唱し,その光変調器応用の研究を進めている。ゲート電圧印加により化合物半導体MOS界面に電子蓄積させることで,化合物半導体中の電子誘起屈折率変化を有効に活用することができる。この結果,高効率・低損失光位相変調が可能となった。位相変調効率は0.05Vcmとなり,既存の空乏型シリコン光変調器と比較して10倍以上効率が改善した。一方,位相変調時の光損失は約1/10となることから,光変調振幅も大幅に改善可能される。本講演では,ハイブリッドMOS型光変調器の詳細を報告するとともに,100Gbps超の光変調器応用に関する展望を述べる。(著者抄録)

シソーラス用語： *光変調素子 ,  *移相器 ,  MOS構造 ,  化合物半導体 ,  *位相変調
準シソーラス用語： *光変調器 ,  位相シフタ ,  *MOS位相シフタ ,  ハイブリッドMOS構造 ,  *光位相変調

分類 (2件)： 光変調器  (BD06020W) ,  光集積回路,集積光学  (BD06050D)

タイトルに関連する用語 (5件)： Si ,  MOS ,  位相シフタ ,  光変調器 ,  展望