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J-GLOBAL ID:201802230367154277   整理番号:18A0163358

PC1Dを用いたAlGaAs/GaAs/Si多接合太陽電池の設計と解析【Powered by NICT】

Design and analysis of AlGaAs/GaAs/Si multi junction solar cell using PC1D
著者 (2件):
資料名:
巻: 2017  号: ICMDCS  ページ: 1-6  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
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本論文の主目的は,有効な太陽スペクトルバンド分解による電力変換効率を増加させることである。は減少順に並べ変えエネルギーバンドギャップのカスケード半導体材料で達成された。添加では,多重接合太陽電池の効率は電池の電流と格子定数マッチングにより改善される。AlGaAs/GaAs/Si材料の多重接合太陽電池から成る格子と電流整合特性を満足する別のチェーンの上に積層した。完全構造をPC1Dでモデル化し,シミュレーション研究は,細胞の電気的パラメータを決定するために実施した。多接合太陽電池は,一回のAM1.5G条件下で1.244Vの開回路電圧(V_oc),35.84mA~2の短絡電流(J_sc),最大定格出力(P_m)3.387Wと33.87%の電力変換効率をもたらした。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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太陽電池 

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