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J-GLOBAL ID：201802230418447032   整理番号：18A0854373

新しいサマリウム化合物SmPtSi_2の基本特性【JST・京大機械翻訳】

Fundamental properties of a new samarium compound SmPtSi₂

著者 (7件)： Yamaguchi Shuto (Niigata University, Ikarashi, Niigata 950-2181, Japan) ,  Takahashi Eisuke (Niigata University, Ikarashi, Niigata 950-2181, Japan) ,  Kase Naoki (Niigata University, Ikarashi, Niigata 950-2181, Japan) ,  Nakano Tomohito (Niigata University, Ikarashi, Niigata 950-2181, Japan) ,  Takeda Naoya (Niigata University, Ikarashi, Niigata 950-2181, Japan) ,  Matsubayashi Kazuyuki (University of Electro-Communications, Chofu, Tokyo 182-8585, Japan) ,  Uwatoko Yoshiya (ISSP, University of Tokyo, Kashiwa, Chiba 277-8581, Japan)
資料名： Physica B. Condensed Matter  (Physica B. Condensed Matter)
巻： 536  ページ： 297-299  発行年： 2018年 
JST資料番号： H0676B  ISSN： 0921-4526  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 新しい斜方晶系三元化合物SmPtSi_2を発見した。SmPtSi_2の単結晶の成長に成功した。この化合物の多結晶試料を調製し,それらの磁化率,比熱,および抵抗率を測定した。多結晶試料の磁化率の温度依存性は高温でSm3+のそれに近く,その比熱はT_H=8.6KとT_L=5.6Kで異常を示す。SmPtSi_2の単結晶の抵抗率は,T_Hのすぐ下でのハンプ型異常とT_Lでの突然の減少を示し,これらの異常が固有であり,SmPtSi_2が二段階転移を示すことを示した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電気抵抗率 ,  多結晶 ,  単結晶 ,  磁化率 ,  比熱 ,  *サマリウム化合物 ,  温度依存性 ,  高温 ,  斜方晶系
準シソーラス用語： 単結晶成長 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： SmPtSi_2 ,  単結晶 ,  新化合物 ,  二段階遷移

分類 (2件)： 金属結晶の磁性  (BM06040T) ,  金属結晶の電子伝導  (BM03033M)

タイトルに関連する用語 (1件)： サマリウム