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J-GLOBAL ID:201802230421985203   整理番号:18A0446358

修正増倍層をもつ偏光増強後方照射AlGaNソーラブラインドSAM APDの過剰雑音の抑制【Powered by NICT】

Suppression of excess noise in polarization enhanced back illuminated AlGaN solar-blind SAM APDs with modified multiplication layer
著者 (3件):
資料名:
巻: 2017  号: ICTP  ページ: 161-165  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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本論文では,修正増倍層を有するソーラーブラインド背面照射AlGaN分離吸収及び増倍アバランシェフォトダイオード(SAM APD)の新規で改良された構造を提案した。過剰雑音因子より,通常の雪崩層の両側に挿入された広いバンドギャップAlN層のより高いしきい値衝突イオン化エネルギーに起因して約35%で抑制できることを示した。層界面での増強された分極は光電流を改善すると減少した過剰雑音は,暗電流を制限している。は従来の方法と提案したAPDの両方のデバイス特性を調べるために自家製シミュレータを用いた。提案したソーラブラインドSAM APDの性能のいくつかの重要な性能は従来のものと比較し,全ての面で優れていることが分かった。光電流改良し,暗電流,低過剰雑音因子,優れた応答性と効率が増加すると,提案したデバイスは,最新光ファイバ通信に有用であることを最適化されたソーラブラインド応用を提供する。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
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光導電素子  ,  測光と光検出器一般 
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