文献

J-GLOBAL ID：201802230506815459   整理番号：18A1378311

P-6:最新のエッチストップ構造酸化物TFTの開発【JST・京大機械翻訳】

P-6: Development of Advanced Etch-Stop Structures Oxide TFT

著者 (13件)： Shang Fei (BOE Optoelectronics Technology Co., Ltd., Chongqing, China) ,  Xiang Yong (University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China) ,  Wang Rui (BOE Optoelectronics Technology Co., Ltd., Chongqing, China) ,  Wang Xiaolin (BOE Optoelectronics Technology Co., Ltd., Chongqing, China) ,  Huang Zhonghao (BOE Optoelectronics Technology Co., Ltd., Chongqing, China) ,  Xu Zhuo (BOE Optoelectronics Technology Co., Ltd., Chongqing, China) ,  Li Shaoru (BOE Optoelectronics Technology Co., Ltd., Chongqing, China) ,  Liu Zhulin (BOE Optoelectronics Technology Co., Ltd., Chongqing, China) ,  Qiu Haijun (BOE Optoelectronics Technology Co., Ltd., Chongqing, China) ,  Yuan Jianfeng (BOE Optoelectronics Technology Co., Ltd., Chongqing, China) ,  Min Taiye (BOE Optoelectronics Technology Co., Ltd., Chongqing, China) ,  Ma Xiaofeng (BOE Optoelectronics Technology Co., Ltd., Chongqing, China) ,  Zhao Yongliang (BOE Optoelectronics Technology Co., Ltd., Chongqing, China)
資料名： Digest of Technical Papers. SID International Symposium (Society for Information Display)  (Digest of Technical Papers. SID International Symposium (Society for Information Display))
巻： 49  号： 1  ページ： 1212-1214  発行年： 2018年 
JST資料番号： E0907A  ISSN： 0097-966X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SDとIGZO層自己整合プロセスを用いた先進Etch-Stop構造In-Ga-Zn-酸化物薄膜トランジスタ(A-ES TFT)は,エッチ停止層(ESL)酸化物TFTよりも低い生産コスト,寄生容量が少ない。また,優れた電気的性質とバイアス安定性を見出し,2つのフォトマスクだけでA-ES TFTを用いて12.5インチ液晶パネルを作製した。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： バイアス ,  電気的性質 ,  自己整合 ,  *エッチング ,  *酸化物 ,  製造原価 ,  薄膜トランジスタ ,  フォトマスク ,  漂遊容量
準シソーラス用語： 液晶パネル ,  酸化インジウム・ガリウム・亜鉛 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： A-ES IGZO TFT ,  フォトマスク ,  LCD ,  信頼性

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： エッチ ,  ストップ ,  酸化物 ,  TFT ,  開発