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J-GLOBAL ID：201802230607775329   整理番号：18A1645894

高周波応用のためのポリプロピレン-高抵抗シリコン複合材料【JST・京大機械翻訳】

Polypropylene-high resistivity silicon composite for high frequency applications

著者 (5件)： Sebastian M.T. (Electronic Convergence Materials Division, Korean Institute for Ceramic Engineering and Technology, 101 Soho-ro, Jinju 52851, South Korea) ,  Krupka J. (Department of Electronics and Information Technology, Warsaw University of Technology, Koszykowa 75, 00-662 Warsaw, Poland) ,  Arun S. (Electronic Convergence Materials Division, Korean Institute for Ceramic Engineering and Technology, 101 Soho-ro, Jinju 52851, South Korea) ,  Kim C.H. (Electronic Convergence Materials Division, Korean Institute for Ceramic Engineering and Technology, 101 Soho-ro, Jinju 52851, South Korea) ,  Kim H.T. (Electronic Convergence Materials Division, Korean Institute for Ceramic Engineering and Technology, 101 Soho-ro, Jinju 52851, South Korea)
資料名： Materials Letters  (Materials Letters)
巻： 232  ページ： 92-94  発行年： 2018年 
JST資料番号： E0935A  ISSN： 0167-577X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ポリプロピレン高エネルギー陽子照射シリコン複合材料をホットプレスにより調製した。複合材料の誘電特性を45.9GHzまでの低およびマイクロ波周波数範囲で測定した。この複合材料は,5および15GHzで3.7の相対誘電率を有するが,45.9GHzで2.82に減少した。損失正接は同じ周波数範囲で周波数の増加とともに3.36×10~3から1.7×10~3に減少したが,報告した高分子-セラミック複合材料は損失係数の増加傾向を示した。周波数の増加に伴う損失正接の減少傾向は,IOTと5Gのような高周波応用における使用の可能性を示す。30vol%の高エネルギー陽子照射高抵抗Siを含む複合材料は45.9GHzで2.82の相対誘電率と0.0017の損失正接を有した。ポリプロピレンの熱膨張係数(CTE)は140から60ppm/°Cに減少し,複合材料は0.95W/mKの熱伝導率を有した。ポリプロピレン(0.22)の熱伝導率は30vol%の高抵抗シリコン粉末の添加により約331%増加した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 高分子 ,  損失正接 ,  陽子照射 ,  粉体 ,  誘電率 ,  *複合材料 ,  マイクロ波 ,  *ケイ素 ,  熱膨張係数 ,  誘電体 ,  誘電性 ,  熱伝導率 ,  周波数 ,  ホットプレス
準シソーラス用語： 損失係数 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： ミリ波材料 ,  マイクロ波基板 ,  誘電体 ,  損失正接 ,  熱伝導率

分類 (2件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  高分子固体の物理的性質  (CG02024U)

タイトルに関連する用語 (5件)： 高周波 ,  応用 ,  ポリプロピレン ,  シリコン ,  複合材料