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J-GLOBAL ID：201802230662034490   整理番号：18A0228637

迅速で拡張可能なSiO_xメモリに向け調節可能で明確な単一切頂円錐ナノ孔構造により調製した可制御性スイッチフィラメント

Controllable Switching Filaments Prepared via Tunable and Well-Defined Single Truncated Conical Nanopore Structures for Fast and Scalable SiO_x Memory

著者 (7件)： KWON Soonbang (Korea Univ., Seoul, KOR) ,  JANG Seonghoon (Korea Univ., Seoul, KOR) ,  CHOI Jae-Wan (Korea Univ., Seoul, KOR) ,  CHOI Sanghyeon (Korea Univ., Seoul, KOR) ,  JANG Sukjae (Korea Inst. of Sci. and Technol., Jeollabuk-do, KOR) ,  KIM Tae-Wook (Korea Inst. of Sci. and Technol., Jeollabuk-do, KOR) ,  WANG Gunuk (Korea Univ., Seoul, KOR)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 17  号： 12  ページ： 7462-7470  発行年： 2017年12月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二端子抵抗メモリは導電性ナノフィラメント,ナノ秒スィッチ,簡易合成過程,低エネルギー消費から不揮発性ランダムアクセスメモリ用候補となった。本報では,垂直単一切頂円錐ナノ孔(StcNP)SiO_x構造を利用し導電性フィラメント物理次元(数,サイズ,長さ)を設計し,高信頼性二端子SiO_xメモリ基盤として用いた。SiO_xメモリデバイス用ケイ素ナノ単結晶(SiNC)フィラメントを制御し生成する新方法を導入し,StcNP構造を利用し制限垂直ナノ規模ギャップを持つフィラメントを生成した。異なるStcNP構造を通してのAuワイヤの分析結果によりスィッチ特性に影響を持つフィラメント物理次元を設計した。特に,設計SiO_xメモリ接合(孔深さ約75nmと孔底部直径約10nm)が,セットとリセット両過程で公表メモリデバイスより著しく速い最大6nsまでのスイッチング速度を示した。

シソーラス用語： 記憶素子 ,  二端子回路 ,  *酸化ケイ素 ,  導体 ,  *フィラメント ,  単結晶 ,  ナノ結晶 ,  金 ,  不揮発性メモリ ,  RAM【メモリ】 ,  *スイッチ ,  *可制御性
準シソーラス用語： *ケイ素結晶 ,  スイッチング性能 ,  スイッチング速度 ,  ナノギャップ ,  *ナノ孔 ,  ランダムアクセスメモリ ,  金属ワイヤ ,  *抵抗メモリ

分類 (5件)： 記憶装置  (JC04060F) ,  固体デバイス材料  (NC03020K) ,  非金属元素とその化合物の結晶構造  (BK07010N) ,  合成鉱物  (CD01040K) ,  無機化合物一般及び元素  (CD01010D)

タイトルに関連する用語 (8件)： 迅速 ,  拡張 ,  調節可能 ,  円錐 ,  ナノ孔 ,  調製 ,  可制御性 ,  フィラメント