文献

J-GLOBAL ID：201802230838631332   整理番号：18A0312953

ダイアモンド型ではないゲルマニウム/シリコン新規構造の出現・制御に関する基礎研究

Structural Analysis of a Non-cubic Diamond Phase in the Crystallized Amorphous Germanium and Silicon-towards Microstructural Control of Thin Film Devices

著者 (3件)： 仲村龍介 (大阪府大 大学院工学研究科) ,  KIM Hyunjeong (産業技術総合研) ,  奥川将行 (大阪府大 大学院工学研究科)
資料名： 村田学術振興財団年報  (Annual Report of the Murata Science Foundation)
号： 31 12月  ページ： 355-362  発行年： 2017年12月 
JST資料番号： L5491A  ISSN： 0919-3383  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ・高周波スパッタ蒸着により作製したアモルファスゲルマニウム(a-Ge)を室温で数ヶ月以上,350°C以上の数時間時効処理した試料の透過型電子顕微鏡観察と電子回折による構造研究を実施。
・その結果,粒径が10nm程度の均一で微細なナノ結晶組織を観察。結晶構造は安定相の立方ダイヤモンド型構造と決定。
・作製直後あるいは室温で時効時間の短い薄膜を連続的に加熱すると,粒径が100nmを超える粗大な結晶粒が生成。非平衡度の高いアモルファスから現れた粗大結晶粒の構造解析を行い,立方ダイヤモンド型構造に積層欠陥が存在する欠陥立方ダイヤモンド型構造と決定。
・成膜時に導入されるアモルファス相中の規則性クラスタが,欠陥構造が形成される起源となると推測。

シソーラス用語： *ゲルマニウム ,  *非晶質半導体 ,  結晶化 ,  時効 ,  熱処理 ,  ダイヤモンド型結晶 ,  *時効処理 ,  結晶粒径 ,  *積層欠陥 ,  分布関数 ,  準安定相 ,  透過型電子顕微鏡 ,  結晶粒粗大化
準シソーラス用語： 常温時効 ,  対分布関数

分類 (1件)： 非晶質半導体の構造  (BK04030O)

引用文献 (7件)：

• R. Pillarisetty,Nature. 479, 324 (2011)
• J.R.Parsons and C.W.Hoelke, Philos. Mag. A, 50, 329 (1985)
• R. Nakamura, M. Ishimaru, H. Yasuda, H. Nakajima, J. Appl. Phys., 113, 064312 (2013)
• M. Okugawa, R. Nakamura, M. Ishimaru, K. Watanabe, H. Yasuda, H. Numakura, J. Appl. Phys., 119, 214309 (2016)
• M. Okugawa, R. Nakamura, M. Ishimaru, H. Yasuda, H. Numakura, J. Appl. Phys., 120, 134308 (2016)

タイトルに関連する用語 (5件)： ダイアモンド ,  ゲルマニウム ,  シリコン ,  基礎 ,  研究