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J-GLOBAL ID：201802230845416105   整理番号：18A1612359

広帯域太陽光ブラインド光検出のためのシリコン光検出器のUV応答を増強するペロブスカイト量子ドット埋め込み複合膜【JST・京大機械翻訳】

Perovskite Quantum Dots Embedded Composite Films Enhancing UV Response of Silicon Photodetectors for Broadband and Solar-Blind Light Detection

著者 (12件)： Zhang Mengjiao (Beijing Key Laboratory of Nanophotonics and Ultrafine Optoelectronic Systems, School of Optics and Photonics, Beijing Institute of Technology, Beijing, 100081, China) ,  Zhang Mengjiao (East China Institute of Optoelectronic Integrated Device, Suzhou, 215163, China) ,  Wang Lingxue (Beijing Key Laboratory of Nanophotonics and Ultrafine Optoelectronic Systems, School of Optics and Photonics, Beijing Institute of Technology, Beijing, 100081, China) ,  Meng Linghai (School of Materials Science and Engineering, Beijing Institute of Technology, Beijing, 100081, China) ,  Wu Xian-Gang (School of Materials Science and Engineering, Beijing Institute of Technology, Beijing, 100081, China) ,  Tan Qinwen (Beijing Key Laboratory of Nanophotonics and Ultrafine Optoelectronic Systems, School of Optics and Photonics, Beijing Institute of Technology, Beijing, 100081, China) ,  Chen Yuanjin (Beijing Key Laboratory of Nanophotonics and Ultrafine Optoelectronic Systems, School of Optics and Photonics, Beijing Institute of Technology, Beijing, 100081, China) ,  Chen Yuanjin (East China Institute of Optoelectronic Integrated Device, Suzhou, 215163, China) ,  Liang Wanyu (East China Institute of Optoelectronic Integrated Device, Suzhou, 215163, China) ,  Jiang Feng (School of Materials Science and Engineering, Beijing Institute of Technology, Beijing, 100081, China) ,  Cai Yi (Beijing Key Laboratory of Nanophotonics and Ultrafine Optoelectronic Systems, School of Optics and Photonics, Beijing Institute of Technology, Beijing, 100081, China) ,  Zhong Haizheng (School of Materials Science and Engineering, Beijing Institute of Technology, Beijing, 100081, China)
資料名： Advanced Optical Materials  (Advanced Optical Materials)
巻： 6  号： 16  ページ： e1800077  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2486A  ISSN： 2195-1071  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,ダウンシフト材料としてのその場作製ペロブスカイト量子ドット埋め込み複合膜(PQDCFs)の集積を,広帯域太陽光ブラインド光検出に向けたシリコン(Si)光検出器の紫外(UV)応答を増強するために初めて報告した。外部量子効率測定により,PQDCF被覆SiフォトダイオードのUV応答は,ほぼ0%から50.6%±0.5%@290nmに大きく改善されることを示した。87%の計算最大値と比較して,集積素子の光結合効率は,80%@395nmと決定され,効率的なダウンシフトプロセスを示唆した。さらに,PQDCFは電子増倍電荷結合素子(EMCCD)に基づく画像センサにもうまく適合した。PQDCF被覆EMCCDは360,620及び960nmの照射下で高分解能イメージングにより線形応答を示し,UV,可視(VIS)及び近赤外(NIR)領域における広帯域光検出の能力を意味した。さらに,太陽ブラインドUV検出を,PQDCF被覆EMCCDと太陽ブラインドUVフィルタを統合することにより実証した。全てにおいて,発光ダウンシフト材料としてのPQDCFの使用は,Si光検出器のUV応答を改善するための効果的で低コストな方法を提供する。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *広帯域 ,  フォトダイオード ,  *量子ドット ,  *ケイ素 ,  *太陽光 ,  *光検出器 ,  *光検出 ,  被覆 ,  *複合膜 ,  *太陽 ,  近赤外線 ,  発光
準シソーラス用語： EMCCD ,  外部量子効率 ,  ダウンシフト , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 複合膜 ,  ダウンシフト ,  検出器 ,  量子ドット ,  シリコン

分類 (1件)： 測光と光検出器一般  (BD07031F)

タイトルに関連する用語 (11件)： 広帯域 ,  太陽光 ,  ブラインド ,  光検出 ,  シリコン ,  光検出器 ,  応答 ,  増強 ,  ペロブスカイト量子ドット ,  埋め込み ,  複合膜