文献

J-GLOBAL ID：201802230966346775   整理番号：18A0190661

2Dナノエレクトロニクス:グラフェンからシリセンへ,そしてその後【Powered by NICT】

2D nanoelectronics: From graphene to silicene and beyond

著者 (1件)： Akinwande Deji (Department of Electrical and Computer Engineering, The University of Texas-Austin, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： SNW  ページ： 129-130  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究は,グラフェン,M0S2,黒りん,シリセンおよび関連物質のような原子シートに基づく2Dナノエレクトロニクスに向けての進歩を述べた。これら多様な2Dナノ材料は低電力トランジスタ,高速デバイス,零パワースイッチ,ウェアラブルセンサを含むデバイス能力の広い範囲を与えることができる。添加では,バルクシリコンの原子的に薄い等価はトポロジカル絶縁体であると予測され,関連するXeneシートに関連して,シリセンは計算のためのパラダイムシフトとして低エネルギー位相ビットを可能にすることができる。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 高速度 ,  電力トランジスタ ,  位相 ,  *グラフェン ,  ナノ材料 ,  黒リン ,  *二次元 ,  トポロジカル絶縁体
準シソーラス用語： 低エネルギー ,  パラダイムシフト ,  ウェアラブルセンサ ,  パワースイッチ ,  *シリセン ,  *ナノエレクトロニクス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 光伝導,光起電力  (BM03050J) ,  電子輸送の一般理論  (BM03020C)

タイトルに関連する用語 (4件)： 2D ,  ナノエレクトロニクス ,  グラフェン ,  シリセン