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J-GLOBAL ID:201802230976704421   整理番号:18A0198962

高速GaN系緑色LED【Powered by NICT】

High-performance GaN-based green LEDs
著者 (2件):
資料名:
巻: 2017  号: ICAEE  ページ: 54-58  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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~540nmの性能は,GaNベース緑色発光ダイオード(LED)に対して調べた。GaN系LEDは固体照明(SSL)のための最も有望な候補である。数学モデルをMATLABソフトウェアで形成された。電気的性質,I V特性,内部量子効率,EQEと出力またはL-I特性をも調べた。~540nm LED,420mWの最高出力パワーを生成するに焦点を当てた。電流密度で75%低下効率展望のみが,jmax=13.09cm~2はピーク値に似,GaN系LEDは,高性能論理素子と将来のグリーン照明のための誓約,特に固体状態照明であることを明らかにした。これらの結果は,提案したデバイスは,将来の高速,高性能(HP)論理素子のための信頼性のある候補であることをapprise。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
分類
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発光素子  ,  光源,照明器具 
タイトルに関連する用語 (2件):
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