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J-GLOBAL ID:201802231023620751   整理番号:18A1028669

ヘテロ接合と薄膜技術を応用した6インチ高効率背面コンタクト結晶Si太陽電池【JST・京大機械翻訳】

6 Inch high efficiency back contact crystalline Si solar cell applying heterojunction and thinfilm technology
著者 (14件):
資料名:
巻: 2017  号: PVSC  ページ: 1-4  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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このヘテロ接合技術と薄膜技術を応用することにより,6インチのヘテロ接合くし型背面接触(HJBC)太陽結晶Siセルを開発した。後方接合と前面不動態化を形成するために,トップ/裏面接触ヘテロ接合太陽電池を用いて24.5%の効率を可能にするヘテロ接合技術を適用した。HJBC太陽電池製造プロセス中のこの高品質不動態化を確保するために,薄膜シリコン太陽電池に元々使用されている絶縁層の堆積技術を開発した。さらに,後部電極抵抗を大幅に抑制するために新しい構造を設計した。すべてのこれらの技術を適用することによって,著者らのHJBC太陽電池は,全面積測定(239.0cm2)による1太陽光照射の下で,AIST(V_OC=737mV,I_SC=10.07A,FF=80.2%,P_MAX=5.95W)で独立に確認された24.91%の変換効率に達した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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太陽電池 

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