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J-GLOBAL ID：201802231096422972   整理番号：18A0488644

希土類酸化物と水素との相互作用に及ぼす空格子点と表面ヒドロキシル基の影響-酸化ガドリニウムのDFT計算【Powered by NICT】

The effects of vacancies and surface hydroxyls on the interactions of hydrogen with rare earth oxides - DFT calculations on gadolinium oxide

著者 (3件)： Barzilai S. (Nuclear Research Centre-Negev, P.O. Box 9001, Beer-Sheva, Israel) ,  Mintz M.H. (Nuclear Research Centre-Negev, P.O. Box 9001, Beer-Sheva, Israel) ,  Mintz M.H. (Department of Nuclear Engineering, Ben-Gurion University of the Negev, P.O. Box 653, Beer-Sheva, 84105, Israel)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 740  ページ： 926-934  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 希土類酸化物表面とガス状水素の相互作用が水素化反応触媒作用と金属水素化物形成(薄い酸化被覆層で被覆した「実生活」金属)のようなある種の実用的プロセスにおいて重要である。を実験的にそのような相互作用は,これらの酸化物表面,特に酸素空格子点とヒドロキシル基に及ぼす不整の存在によって著しく影響されることが観察された。本DFT計算では,空格子点とH_2の化学吸着過程に及ぼすヒドロキシル基の影響をGdO_1の研究,モデル系であった。二酸化物面の方位,(110)および(111)を比較した。表面ヒドロキシル基の存在は,解離性化学吸着段階を妨げることが分かった。完全な無欠陥酸化物表面では,水素は不均一を解離し,ヒドロキシル基と負に荷電したH~ δ種を形成した。後者は酸化物被覆層を透過するより移動性部分となる可能性があり,水素化物を形成する下の金属と反応した。しかし,ヒドロキシルの蓄積はこの化学吸着段階,最終的にH_2ヘテロリシス解離経路の遮断をもたらす中に起こった。一方,欠陥,空孔を含む,酸化物表面のための,新しいタイプのホモリチック解離経路を見いだしてきた。このルートは,二つの負に荷電したH~ δ部分を得た。経路はヒドロキシル基を生成しないので,金属にH_2解離と浸透のための持続可能なチャネルを提供する。以上の計算は,水素化物発生の初期段階に関するいくつかの実験的観察を説明するかもしれない。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *密度汎関数法 ,  *水素 ,  金属 ,  化学吸着 ,  *酸化 ,  解離吸着 ,  *相互作用 ,  *酸化ガドリニウム ,  *ヒドロキシ基 ,  被覆層 ,  水素化物
準シソーラス用語： 酸素空格子点 ,  酸化物表面 ,  水素ガス ,  *希土類酸化物 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 金属水素化物 ,  表面 ,  第一原理 ,  Hydrogenation

分類 (4件)： 金属の格子欠陥  (BK12030F) ,  二次電池  (YB04030K) ,  塩  (CD01050V) ,  その他の金属組織学  (WB01040Y)

タイトルに関連する用語 (7件)： 希土類酸化物 ,  水素 ,  相互作用 ,  空格子点 ,  ヒドロキシル基 ,  酸化ガドリニウム ,  DFT計算