8.3:OLEDディスリプレイ下のトップゲート自己整列a-IGZO TFTに基づく光と熱に対する高安定性【JST・京大機械翻訳】

Wang Guoying; Song Zhen; Wang Ling; Xu Pan; Gai Cuili; Lin Yicheng; Yan Liangchen; Wu Zhongyuan

文献

J-GLOBAL ID：201802231148781977 整理番号：18A2165467

8.3:OLEDディスリプレイ下のトップゲート自己整列a-IGZO TFTに基づく光と熱に対する高安定性【JST・京大機械翻訳】

8.3: High Stability Against Light and Heat Based on the Top Gate Self-Aligned a- IGZO TFTs under OLED Dislplay

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資料名：
巻： 49 Suppl S1 ページ： 82-85 発行年： 2018年
JST資料番号： E0907A ISSN： 0097-966X 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

OLEDディスプレイに適用するために,トップゲート自己整合a-IGZO TFTの種類を作製した。種々の応力条件下でのV_THのドリフトを系統的に研究した。温度または光を加えると,VTHのドリフトはPBTSやNBTIのような比較的大きく,デバイス調製の過程で最適化する必要があることが分かった。最初に,2種類のデバイスを調製した。1つは装置の底にシールド金属層を追加し,他はそれを含まない。TFTのV_THは,底部遮蔽金属の保護の欠如により,大きなドリフトを起こしやすいことが分かった。第二に,素子中の酸素量は素子の安定性に特に重要である。従って,バッファ層とゲート誘電体層の酸素含有量を変えることにより,素子の安定性を調べた。最後に,7200sの種々の応力条件下でのV_THのドリフトは,回路補償範囲内で制御される1V以下である。最後に,良好な画質を持つ14′′8K UHD OLEDディスプレイパネルを実証した。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

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