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J-GLOBAL ID：201802231169525295   整理番号：18A2005063

不純物によるトポロジカル絶縁体ドットの反転非対称性ポテンシャル調整【JST・京大機械翻訳】

Inversion asymmetry potential tuning of topological insulator dots with impurities

著者 (5件)： Li Guo (State Key Laboratory of Low-Dimensional Quantum Physics, Department of Physics,Tsinghua University, Beijing 100084, China) ,  Yang Ning (Institute of Applied Physics and Computational Mathematics, Beijing 100088, China) ,  Zhu Jia-Lin (State Key Laboratory of Low-Dimensional Quantum Physics, Department of Physics,Tsinghua University, Beijing 100084, China) ,  Lu Junqiang (Department of Physics, Institute for Functional Nanomaterials, University of Puerto Rico, Mayaguez, Puerto Rico 00681, USA) ,  Wu Jian (State Key Laboratory of Low-Dimensional Quantum Physics, Department of Physics,Tsinghua University, Beijing 100084, China)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 124  号： 16  ページ： 164301-164301-7  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 結合修正Dirac方程式に対する有効な方法を提案することにより,三次元トポロジー超薄膜の量子ドットにおける閉込め状態に対する構造反転非対称性の効果を調べた。量子化エッジ状態の存在又は不在は反転非対称ポテンシャルにより制御できることが分かった。エッジと非エッジ状態のスピンへのポテンシャルの同調は全く異なる。不純物の存在下では,エッジと非エッジ状態の間の混合は大きく増強され,ポテンシャルによって効果的に調整される。この発見は関連するナノデバイスの設計に有用である。Copyright 2018 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 量子化 ,  位相幾何学 ,  *非対称性 ,  三次元 ,  超薄膜 ,  量子ドット ,  Dirac方程式 ,  *不純物 ,  *トポロジカル絶縁体
準シソーラス用語： ナノデバイス ,  エッジ状態 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (6件)： 不純物 ,  トポロジカル絶縁体 ,  ドット ,  反転 ,  非対称性 ,  ポテンシャル