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J-GLOBAL ID：201802231255949290   整理番号：18A2003815

有機/無機ヘテロ接合に基づく紫外線光検出器の作製と性能評価【JST・京大機械翻訳】

Fabrication and performance evaluation of ultraviolet photodetector based on organic /inorganic heterojunction

著者 (4件)： Abdel-Khalek H. (Thin Film Laboratory, Physics Department, Faculty of Science, Suez Canal University, Ismailia, Egypt) ,  El-Samahi M.I. (Thin Film Laboratory, Physics Department, Faculty of Science, Suez Canal University, Ismailia, Egypt) ,  El Salam Mohamed Abd- (Thin Film Laboratory, Physics Department, Faculty of Science, Suez Canal University, Ismailia, Egypt) ,  El-Mahalawy Ahmed M. (Thin Film Laboratory, Physics Department, Faculty of Science, Suez Canal University, Ismailia, Egypt)
資料名： Current Applied Physics  (Current Applied Physics)
巻： 18  号： 12  ページ： 1496-1506  発行年： 2018年 
JST資料番号： W1579A  ISSN： 1567-1739  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機/無機紫外線光検出器を熱蒸着法を用いて作製した。n型シリコン基板上に堆積した厚さ200nmの熱蒸着銅(II)アセチルアセトネート薄膜に基づく有機/無機ヘテロ接合を紹介した。作製したヘテロ接合のI-V特性を強度65mW/cm2のUV照射下で調べた。理想因子,n,障壁高さ,Φ_B,逆飽和電流,I_sなどのダイオードパラメータを熱電子放出理論を用いて決定した。作製したダイオードの直列抵抗を修正Nord法を用いて決定した。ダイオードの直列抵抗と障壁高さの推定値は,それぞれ約0.33KΩと0.72eVであった。作製した光検出器は,それぞれ約9mA/Wと4.6×10~9Jonesの感度と比検出能を示した。作製した光検出器の応答挙動をON-OFFスイッチング挙動を通して解析した。UV照射下での現在のアーキテクチャの立ち上がりと降下時間の推定値は,それぞれ約199msと154msであった。最後に,作製した光検出器の光応答性を増強し,蒸着後プラズマ処理プロセスを採用した。プラズマ処理の結果,素子性能の著しい改良が認められた。これらの修飾は,直列抵抗の減少と光応答性と特異的検出能の増加を代表している。プラズマ処理のプロセスは,UV照射下で-3.5Vで5.53%から8.34%への外部量子効率の増加を達成した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： スイッチング ,  ダイオード ,  *光検出器 ,  真空蒸着 ,  蒸着 ,  プラズマ処理 ,  薄膜 ,  紫外線照射 ,  推定量 ,  *ヘテロ接合 ,  薄膜成長
準シソーラス用語： 外部量子効率 ,  光応答 ,  直列抵抗 ,  障壁高さ ,  理想因子 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 銅(II)アセチルアセトネート ,  ヘテロ接合 ,  UV光検出器 ,  Schottkyダイオード ,  プラズマ処理

分類 (1件)： 測光と光検出器一般  (BD07031F)

タイトルに関連する用語 (5件)： ヘテロ接合 ,  紫外線 ,  光検出器 ,  作製 ,  性能評価