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J-GLOBAL ID：201802231280060184   整理番号：18A1384119

チップ増強光ルミネセンスによるCVD成長MoS_2単分子層のナノスケール発光特性のプロービング【JST・京大機械翻訳】

Probing the nanoscale light emission properties of a CVD-grown MoS₂ monolayer by tip-enhanced photoluminescence

著者 (7件)： Okuno Yoshito (Scientific & Semiconducting Instruments R&D Department, HORIBA Ltd, 2 Kisshouin Miyanohigashi-machi, Kyoto 601-8510, Japan. [e-mail]) ,  Lancry Ophelie ,  Tempez Agnes ,  Cairone Cristina ,  Bosi Matteo ,  Fabbri Filippo ,  Chaigneau Marc
資料名： Nanoscale  (Nanoscale)
巻： 10  号： 29  ページ： 14055-14059  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2323A  ISSN： 2040-3364  CODEN： NANOHL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二次元遷移金属ジカルコゲニドは,それらの有望な光学的性質のために関心が高まっている。特に,バンドギャップを示す二硫化モリブデン(MoS_2)は,バルク材料に対して1.29eVで間接的に変化し,材料単分子層に対して1.8eVで直接的に変化した。この特別な効果は,可視光発光デバイスの次世代への新しいアプローチの道を開くことができる強い光相互作用をもたらすことができる。本研究では,化学蒸着により成長させたMoS_2単分子層におけるチップ増強光ルミネセンス顕微鏡法と分光法による発光特性のナノスケール変化を示した。発光特性の変化は,MoS_2単層の形状に依存する異なる効果,例えば不規則形状のフレークにおける点欠陥の異なる濃度および三角形単分子層におけるナノスケールテラスの存在によるものである。同時に,原子間力顕微鏡により,MoS_2の付加層から成るナノメータテラスの存在が明らかになり,チップ増強PL強度イメージングは局在化強度の減少を示した。Copyright 2018 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 画像処理 ,  *単分子層 ,  可視光 ,  フレーク ,  不規則形態 ,  原子間力顕微鏡 ,  点欠陥 ,  バンドギャップ ,  化学蒸着 ,  *光ルミネセンス
準シソーラス用語： 局在化 ,  テラス ,  発光素子 ,  *発光特性 ,  *ナノスケール , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  無機化合物のルミネセンス  (BM08093J)

タイトルに関連する用語 (7件)： 増強 ,  光ルミネセンス ,  CVD ,  成長 ,  単分子層 ,  ナノスケール ,  発光特性