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J-GLOBAL ID：201802231295390531   整理番号：18A2005548

非磁性金属/インジウム-スズ-酸化物界面からの高速スピン放出による磁気減衰の効率的スピン電流発生と抑制【JST・京大機械翻訳】

Efficient spin current generation and suppression of magnetic damping due to fast spin ejection from nonmagnetic metal/indium-tin-oxide interfaces

著者 (4件)： Kondou Kouta (RIKEN Center for Emergent Matter Science (CEMS), Wako 351-0198, Japan) ,  Tsai Hanshen (Institute for Solid State Physics, University of Tokyo, Kashiwa 277-8581, Japan) ,  Isshiki Hironari (Institute for Solid State Physics, University of Tokyo, Kashiwa 277-8581, Japan) ,  Otani YoshiChika (RIKEN Center for Emergent Matter Science (CEMS), Wako 351-0198, Japan)
資料名： APL Materials (Web)  (APL Materials (Web))
巻： 6  号： 10  ページ： 101105-101105-8  発行年： 2018年 
JST資料番号： U7122A  ISSN： 2166-532X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 透明電極材料として知られる酸化インジウムスズ(ITO)は小さなスピンHall効果を示す。しかし,非磁性金属(NM:CuまたはAg)/ITO界面を調製することにより,減衰変調とスピンポンピング測定によるEdelstein効果による効率的な電荷-スピン相互変換を観測した。NM/ITO界面における電荷からスピンへの変換に対する推定スピン電流伝導率は,Ptおよびβ-Taよりも大きかった。さらに,Ag/ITO界面におけるスピンから電荷への変換係数λは0.35nmになり,これは大きなRashbaスピン分裂をもつAg/Bi界面のそれと同程度である。これらの実験結果は,Biのような重元素が界面での効率的なスピン電荷相互変換を実現するために必要でないことを意味する。相互変換効果の実験結果の組合せにより,界面からのスピン放出時間は運動量緩和時間と同じ速さであることを見出した。結果として,効率的なスピン電流発生だけでなく,接触強磁性層における磁気減衰の抑制も実現した。これらの知見は,界面電荷スピン変換の物理を理解するのに役立ち,低消費スピントロニクス素子のためのスピン電流発生器の材料研究への新しい展望を提供する。Copyright 2018 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 銀 ,  電荷 ,  *電流発生 ,  *界面 ,  白金 ,  酸化インジウムスズ ,  緩和時間 ,  ビスマス ,  *磁気
準シソーラス用語： スピントロニクス素子 ,  スピン分裂 ,  *スピン電流 ,  スピンHall効果 ,  透明電極材 ,  *非磁性金属 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 金属結晶の磁性  (BM06040T) ,  磁性一般  (BM06010M) ,  磁性材料  (NA04040H)

タイトルに関連する用語 (10件)： 非磁性金属 ,  インジウム ,  スズ ,  酸化物 ,  界面 ,  高速スピン ,  放出 ,  磁気 ,  減衰 ,  スピン電流