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J-GLOBAL ID：201802231445450057   整理番号：18A0917512

ゲート容量から導出した有効MOSFETチャネル長に関する研究

Study on effective MOSFET channel length extracted from gate capacitance

著者 (3件)： TSUJI Katsuhiro (Hiroshima City Univ., Hiroshima, JPN) ,  TERADA Kazuo (Hiroshima City Univ., Hiroshima, JPN) ,  FUJISAKA Hisato (Hiroshima City Univ., Hiroshima, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 57  号： 1  ページ： 016601.1-016601.7  発行年： 2018年01月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の有効チャネル長(L_GCM)を,電荷注入誘起エラーフリー電荷ベース静電容量測定(CIEF CBCM)により測定した実在サイズのMOSFETのゲート容量から導出した。試験用MOSFETのゲートとチャネル間の静電容量を正確に評価するために,種々のチャネルサイズとソース/ドレイン参照デバイスを持つ試験用MOSFETを用いて寄生容量を除去した。ゲートチャネル容量と設計したチャネル長の間の強い線形関係が得られ,それから,L_GCMを導出した。L_GCMは,測定したMOSFETドレイン電流から導出した有効チャネル長(L_GCM)よりわずかに短いことが分かった。この理由を議論し,ゲート電極とソースおよびドレイン領域間の静電容量がこの導出に影響することが分かった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *MOSFET ,  *FET【トランジスタ】 ,  キャリア注入 ,  静電容量 ,  チャネル ,  ソース【半導体】 ,  ドレイン【半導体】
準シソーラス用語： *エラーフリー ,  ゲート電極 ,  ゲート容量 ,  *チャネル長 ,  *寄生容量 ,  金属酸化物半導体型電界効果トランジスタ ,  *電界効果トランジスタ

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

引用文献 (24件)：

• K. Terada and H. Muta, Jpn. J. Appl. Phys. 18, 953 (1979).
• J. Chern, P. Chang, R. Motta, and N. Godinho, IEEE Electron Device Lett. 1, 170 (1980).
• G. J. Hu, C. Chang, and Y. Chia, IEEE Trans. Electron Devices 34, 2469 (1987).
• K. Ng and J. Brews, IEEE Circuits Devices Mag. 6 [6], 33 (1990).
• Y. Taur, D. Zicherman, D. Lombardi, P. Restle, C. Hsu, H. Nanafi, M. Wordeman, B. Davari, and G. Shahidi, IEEE Electron Device Lett. 13, 267 (1992).

タイトルに関連する用語 (5件)： ゲート容量 ,  導出 ,  MOSFET ,  チャネル長 ,  研究