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J-GLOBAL ID：201802231628315311   整理番号：18A1876269

溶液処理半導体を用いた曲げ可能な有機電界効果トランジスタにおける機械的応力応答に及ぼす形態の影響【JST・京大機械翻訳】

Morphology Influence on the Mechanical Stress Response in Bendable Organic Field-Effect Transistors with Solution-Processed Semiconductors

著者 (9件)： Lai Stefano (Department of Electrical and Electronic Engineering, University of Cagliari, Piazza d’Armi, 09134, Cagliari, Italy) ,  Temino Ines (Institut de Ciencia de Materials de Barcelona (ICMAB-CSIC) and Networking Research Center on Bioengineering Biomaterials and Nanomedicine (CIBER-BBN), Campus de la UAB, 08193, Bellaterra, Spain) ,  Cramer Tobias (Department of Physics and Astronomy, University of Bologna, Viale Berti Pichat 6/2, 40127, Bologna, Italy) ,  del Pozo Freddy G. (Institut de Ciencia de Materials de Barcelona (ICMAB-CSIC) and Networking Research Center on Bioengineering Biomaterials and Nanomedicine (CIBER-BBN), Campus de la UAB, 08193, Bellaterra, Spain) ,  del Pozo Freddy G. (Universidad Tecnica de Ambato, Av. Colombia y Chile, Ambato, Tubgurahua, EC180105, Ecuador) ,  Fraboni Beatrice (Department of Physics and Astronomy, University of Bologna, Viale Berti Pichat 6/2, 40127, Bologna, Italy) ,  Cosseddu Piero (Department of Electrical and Electronic Engineering, University of Cagliari, Piazza d’Armi, 09134, Cagliari, Italy) ,  Bonfiglio Annalisa (Department of Electrical and Electronic Engineering, University of Cagliari, Piazza d’Armi, 09134, Cagliari, Italy) ,  Mas-Torrent Marta (Institut de Ciencia de Materials de Barcelona (ICMAB-CSIC) and Networking Research Center on Bioengineering Biomaterials and Nanomedicine (CIBER-BBN), Campus de la UAB, 08193, Bellaterra, Spain)
資料名： Advanced Electronic Materials  (Advanced Electronic Materials)
巻： 4  号： 10  ページ： e1700271  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2482A  ISSN： 2199-160X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： プラスチック基板上に作製した低電圧,フレキシブル有機電界効果トランジスタの機械的応答に及ぼす半導体形態の影響を調べた。有機半導体をパターン形成するために,棒支援メニスカスせん断を考慮した。膜の形態的特徴はせん断方向を変えることにより変化した。2つの異なる有機半導体被覆を持ついくつかのデバイスを報告した。2種類の変形,すなわち伸びと圧縮に対するこのようなデバイスの応答を調べた。機械的応力の影響も考慮した。原子間力顕微鏡と走査Kelvinプローブ顕微鏡を含む詳細な形態学的解析を,素子の形態的特徴と電気的応答の間の関係を明らかにするために行った。結果は,曲げに対する応答だけではなく,膜の形態的性質に依存するだけでなく,棒せん断方向に従って調整できることを実証した。変形に対する電気的安定性を必要とする応用のための曲げセンサから歪不感デバイスへの機械的変形に対する異なる程度の応答を持つデバイスの開発に対する提案したアプローチの採用は,このように予見できる。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 顕微鏡観察 ,  有機半導体 ,  パターン形成 ,  走査 ,  被覆 ,  剪断 ,  センサ ,  伸び ,  モルフォロジー ,  メニスカス ,  原子間力顕微鏡 ,  *形態 ,  *半導体
準シソーラス用語： 低電圧 ,  *有機FET , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 棒支援メニスカスせん断 ,  有機電界効果トランジスタ ,  走査Kelvinプローブ顕微鏡法 ,  溶液処理有機半導体 ,  歪センサ

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 溶液処理 ,  曲げ ,  有機電界効果トランジスタ ,  機械的応力 ,  応答 ,  形態