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J-GLOBAL ID：201802231795580200   整理番号：18A2228529

安全動作領域の再検討:信頼性を意識した回路設計のためのSiGe HBTエージングモデル【JST・京大機械翻訳】

Revisiting Safe Operating Area: SiGe HBT Aging Models for Reliability-Aware Circuit Design

著者 (6件)： Wier Brian R. (School of Electrical and Computer Engineering, 777 Atlantic Drive, NW, Georgia Tech, Atlanta, Georgia, 30332, USA) ,  Martinez Rafael Perez (School of Electrical and Computer Engineering, 777 Atlantic Drive, NW, Georgia Tech, Atlanta, Georgia, 30332, USA) ,  Raghunathar Uppili S. (School of Electrical and Computer Engineering, 777 Atlantic Drive, NW, Georgia Tech, Atlanta, Georgia, 30332, USA) ,  Ying Hanbin (School of Electrical and Computer Engineering, 777 Atlantic Drive, NW, Georgia Tech, Atlanta, Georgia, 30332, USA) ,  Zeinolabedinzadeh Saeed (School of Electrical and Computer Engineering, 777 Atlantic Drive, NW, Georgia Tech, Atlanta, Georgia, 30332, USA) ,  Cressler John D. (School of Electrical and Computer Engineering, 777 Atlantic Drive, NW, Georgia Tech, Atlanta, Georgia, 30332, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： BCICTS  ページ： 215-218  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,SiGe HBTにおけるホットキャリア劣化の予測シミュレーションのための物理ベースのコンパクトエージングモデルを示し,検証した。分離エージング関数は,高磁場混合モードと高電流Auger-ホットキャリア応力の効果をモデル化し,広いバイアス範囲にわたる予測能力を提供するために統合される。デバイス形状によるエージング速度の変化とホットキャリアポリシリコン劣化による多重パラメータシフトの組込みを調べた。さらに,ドライバ回路のエージングシミュレーション結果を示し,このようなモデルが回路設計プロセスの一部としてどのように組み込まれるかを示した。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 強磁場 ,  予測 ,  駆動回路 ,  *回路設計 ,  バイアス ,  混合モード ,  モデリング ,  ホットキャリア ,  *信頼性 ,  多重化 ,  シミュレーション
準シソーラス用語： 予測能力 ,  大電流 ,  *安全動作領域 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (7件)： 安全動作領域 ,  意識 ,  回路設計 ,  SiGe ,  HBT ,  エージング ,  モデル