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J-GLOBAL ID：201802231983260128   整理番号：18A0442546

遅波モードにおけるGS TSVの電気特性【Powered by NICT】

Electrical characteristics of GS-TSV in slow wave mode

著者 (3件)： Wang Fengjuan (Faculty of Automation and Information Engineering, Xi’an University of Technology, Xi’an, China) ,  Wang Gang (Faculty of Automation and Information Engineering, Xi’an University of Technology, Xi’an, China) ,  Yu Ningmei (Faculty of Automation and Information Engineering, Xi’an University of Technology, Xi’an, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： EDAPS  ページ： 1-3  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 遅波モードにおける信号基底シリコン貫通ビア(GS TSV)の電気的特性を,マイクロ波理論に従って解析し,ADSソフトウェアによってシミュレートした。結果は,TSVの半径,伝送特性はよりよくなっていることを示したが,TSVの高さの増加と共に,TSVの伝送特性は0~15GHzの範囲内で悪かった。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： マイクロ波 ,  ソフトウェア ,  *電気特性 ,  伝送特性 ,  電気的性質
準シソーラス用語： シリコン貫通ビア ,  *遅波 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (3件)： 遅波 ,  TSV ,  電気特性