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J-GLOBAL ID:201802232017310687   整理番号:18A1620962

弱反転におけるCMOS集積回路の入力オフセット推定【JST・京大機械翻訳】

Input Offset Estimation of CMOS Integrated Circuits in Weak Inversion
著者 (3件):
資料名:
巻: 26  号:ページ: 1812-1816  発行年: 2018年 
JST資料番号: W0516A  ISSN: 1063-8210  CODEN: ITCOB4  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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本論文では,弱い反転領域で動作するMOSトランジスタの電流不整合を研究した。長チャネルMOSトランジスタのドレイン電流関係から明示的な式を導いた。小信号条件下でのゲート端子へのドレイン電流分散を参照することにより,ゲート-ソース電圧の設計パラメータへの依存性と不整合のソースを考慮することができる。これにより,設計者は,その不整合が回路性能に著しく影響する,トランジスタの電流オフセット低減のための最適サイズと効率的なgm/I_D比を選択するのを助ける。計算したドレイン電流分散の精度を確認するために,ハンド解析結果をMATLABシミュレータ出力と比較した。さらに,従来の折畳みカスコード増幅器の入力オフセットをハンド解析により推定し,結果をモンテカルロ解析によりSPICEシミュレータ出力と比較した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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トランジスタ 
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