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J-GLOBAL ID：201802232035611452   整理番号：18A0780472

両面研磨加工におけるウェーハ厚さむら抑制のための加工条件最適化

Optimization of Polishing Conditions for Reducing Thickness Variation of Wafer in Double-Sided Polishing

著者 (5件)： 福井克成 (大阪大学大学院) ,  廣瀬研二 (大阪大学大学院) ,  佐竹うらら (大阪大学大学院) ,  榎本俊之 (大阪大学大学院) ,  杉原達哉 (大阪大学大学院)
資料名： 精密工学会誌(Web)  (Journal of the Japan Society for Precision Engineering (Web))
巻： 84  号： 3  ページ： 277-283(J-STAGE)  発行年： 2018年 
JST資料番号： U0462A  ISSN： 1882-675X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 半導体デバイスのために最も一般的に使用される基板としてのシリコンウエハは,優れた平坦表面,すなわち,デバイスの高い生産性と性能を得るための小さい厚さの変化により製造されることが強く要求されている。両面研磨(DSP)プロセスは,ウエハ製造の仕上げ段階として広く採用されている。これは,良好な表面品質と平坦性を持つウエハが経済的に得られるからである。良好な再現性を有するDSPプロセスにおけるウエハのより良好な表面平坦性を達成するために,ウエハとパッド間の摩擦,ウエハとキャリアホールの間の摩擦,およびウエハ上の圧力分布を考慮した運動学ベースのDSPシミュレーションモデルを研究した。シミュレーションモデルに基づいて,具体的に研磨条件,上部/下部圧盤および内側/外側歯車の一組の回転条件を,ウエハの厚さ変化を減少させるために最適化した。直径300mmのシリコンウエハに関するDSP実験は,最適条件が特異形状なしで安定にウエハの小さな厚さ変化を達成することを明らかにした。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 両面 ,  研磨 ,  *ウエハ【IC】 ,  *厚み ,  むら ,  抑制 ,  最適化 ,  *加工条件 ,  基板 ,  ケイ素 ,  平坦性 ,  切削工具 ,  シミュレーション
準シソーラス用語： 研磨パッド

著者キーワード (12件)： 両面研磨 ,  シリコンウエハ ,  厚さの変動 ,  優れた平坦性 ,  運動学に基づくシミュレーション ,  最適化 ,  両面研磨 ,  シリコンウエハ ,  厚さの変動 ,  優れた平坦性 ,  運動学に基づくシミュレーション ,  最適化

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (9件)：

• 1) 廣瀬研二, 榎本俊之: 大口径シリコンウェーハの高平坦両面研磨加工に関する研究, 日本機械学会論文集C編, 74, 746 (2008) 267.
• 2) U. Satake, T. Enomoto, K. Fujii and K. Hirose: Optimization method for double-sided polishing process based on kinematical analysis, Procedia CIRP, 41 (2016) 870.
• 3) 荒木裕太, 堀尾健一郎, 金子順一, 山崎次男: 両面研磨におけるキャリア内加工物の加速度・角速度計測, 2013年度精密工学会秋季大会学術講演会講演論文集 (2013) 231.
• 4) 橋本洋平, 近藤亮太, 古本達明, 細川晃: 両面研磨におけるウェハとキャリアの接触を考慮したウェハ挙動の高精度解析手法の開発, 精密工学会誌, 83, 5 (2017) 433.
• 5) 佐野智哉, 橋本洋平, 古本達明, 小谷野智広, 細川晃, 武井正史, 西藤和夫, 笹島啓佑: 両面研磨におけるウェハ-キャリア間の摩擦係数推定, 第24回精密工学会学生会員卒業研究発表講演会論文集 (2017) 107.

タイトルに関連する用語 (5件)： 両面研磨加工 ,  ウェーハ ,  厚さむら ,  加工条件 ,  最適化