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J-GLOBAL ID：201802232120090774   整理番号：18A1898783

SiC MOSFET並列モジュールの電流分担法に関する研究【JST・京大機械翻訳】

Research on Current Sharing Method of SiC MOSFET Parallel Modules

著者 (4件)： Hui Chengwu (Department of Electronics Engineering, Xi’an University of Technology Xi’an, China) ,  Yang Yuan (Department of Electronics Engineering, Xi’an University of Technology Xi’an, China) ,  Xue Yafei (Department of Electronics Engineering, Xi’an University of Technology Xi’an, China) ,  Wen Yang (Department of Electronics Engineering, Xi’an University of Technology Xi’an, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： EDSSC  ページ： 1-2  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,並列にSiC MOSFETに対する電流共有法を解析した。結合インダクタンスによる結合ゲート抵抗補償の新しい方法を提示した。直列抵抗,結合インダクタンス,および結合インダクタンスを有するゲート抵抗補償を含む種々の方法を,並列にSiC MOSFETのための静的および動的条件の下でシミュレーションした。結果は,電流不均衡が,結合インダクタンスによるゲート抵抗補償を組み合わせる電流共有方法によって10.9%から1.47%まで減少することを示した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *電流 ,  インダクタンス ,  *電流分布
準シソーラス用語： 不均衡 ,  直列抵抗 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (5件)： SiC ,  MOSFET ,  モジュール ,  電流分担 ,  研究