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J-GLOBAL ID：201802232129609859   整理番号：18A0651514

二方向性のゲートトンネルトランジスタを開発することができた。【JST・京大機械翻訳】

Bidirectional current path recessed gate tunnel field-effect transistor

著者 (6件)： Chen Shupeng (西安電子科技大学 寛禁帯半導体材料与器件教育部重点実験室,陜西 西安,710071) ,  Wang Shulong (西安電子科技大学 寛禁帯半導体材料与器件教育部重点実験室,陜西 西安,710071) ,  Liu Hongxia (西安電子科技大学 寛禁帯半導体材料与器件教育部重点実験室,陜西 西安,710071) ,  Li Wei (西安電子科技大学 寛禁帯半導体材料与器件教育部重点実験室,陜西 西安,710071) ,  Wang Xing (西安電子科技大学 寛禁帯半導体材料与器件教育部重点実験室,陜西 西安,710071) ,  Wang Qianqiong (西安電子科技大学 寛禁帯半導体材料与器件教育部重点実験室,陜西 西安,710071)
資料名： Xi’an Dianzi Keji Daxue Xuebao  (Xi'an Dianzi Keji Daxue Xuebao)
巻： 44  号： 6  ページ： 70-74,168  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0859A  ISSN： 1001-2400  CODEN： XDKXEP  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 従来のトンネルトランジスタは,それら自身の構造の非対称性により,一方向電流経路のみを持ち,回路設計の多くの不都合をもたらす。この欠陥の改善を目的として,双方向性電流経路を有する新しい高性能ゲート型トンネルトランジスタを設計し,この新しいトランジスタの性能を,シミュレーションにより検証した。デバイスのドーピングとサイズのようなプロセスパラメータが,そのエネルギーバンドと性能に及ぼす影響を解析した。結果により、このデバイスは0.5V駆動電圧で5×106のオンオフ比を得られ、最小サブスレッショルド幅はわずか12mV/decであることが分かった。全体として、このデバイスは低駆動電圧において、大きなスイッチング比及び非常に急峻なサブ閾値曲線の勾配を有し、超低電力消費設計の応用に適している。Data from Wanfang. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *トランジスタ ,  プロセスパラメータ ,  スイッチング ,  非対称性 ,  回路設計 ,  ドーピング
準シソーラス用語： 超低消費電力 ,  サブ閾値 ,  オンオフ比 ,  駆動電圧 ,  エネルギー帯 ,  双方向性 ,  電流経路 ,  *トンネルトランジスタ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： band-to-band tunneling ,  tunnel field-effect transistors ,  recessed gate ,  bidirectional current path

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 方向性 ,  ゲート ,  トンネルトランジスタ ,  開発