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J-GLOBAL ID：201802232166768760   整理番号：18A2005367

Weyl半金属WTe_2単結晶の電子輸送特性における異方性【JST・京大機械翻訳】

Anisotropy in the electronic transport properties of Weyl semimetal WTe₂ single crystals

著者 (6件)： Jha Rajveer (Department of Physics, Tokyo Metropolitan University, Hachioji-shi, Minami Osawa, 1-1, 192-0397 Tokyo, Japan) ,  Onishi Shota (Department of Physics, Tokyo Metropolitan University, Hachioji-shi, Minami Osawa, 1-1, 192-0397 Tokyo, Japan) ,  Higashinaka Ryuji (Department of Physics, Tokyo Metropolitan University, Hachioji-shi, Minami Osawa, 1-1, 192-0397 Tokyo, Japan) ,  Matsuda Tatsuma D. (Department of Physics, Tokyo Metropolitan University, Hachioji-shi, Minami Osawa, 1-1, 192-0397 Tokyo, Japan) ,  Ribeiro Raquel A. (CCNH, Universidade Federal do ABC (UFABC), Santo Andre, SP 09210-580, Brazil) ,  Aoki Yuji (Department of Physics, Tokyo Metropolitan University, Hachioji-shi, Minami Osawa, 1-1, 192-0397 Tokyo, Japan)
資料名： AIP Advances (Web)  (AIP Advances (Web))
巻： 8  号： 10  ページ： 101332-101332-6  発行年： 2018年 
JST資料番号： U7121A  ISSN： 2158-3226  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電流方向に垂直な面における回転磁場中のaとb結晶方向に沿った電流Iに対する高品質単結晶を用いて,II型Weyl半金属WTe_2の電気抵抗率ρを測定した。ゼロ磁場において,ρは巨大な異方性を示し,ρ_b/ρ_a比はT=0で約30に近づく温度の低下とともに発達した。n=2.7~2.9のρ∝T~nの低Tべき乗則挙動は,おそらく強いT依存移動度と関連する特性キャリア散乱機構を反映する可能性があり,Hall抵抗率の符号変化をもたらす。Kohlerプロットにおいて,横磁気抵抗(MR)の大きさはIおよびb方向に依存して2桁以上異なる。また,すべての構成に対するB2依存性からMRの明確な偏差を示した。回転B測定では特異方向(マジック角)は現れなかった。Copyright 2018 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電気抵抗率 ,  移動度 ,  回転磁場 ,  温度依存性 ,  電流 ,  磁気抵抗 ,  結晶方位 ,  キャリア散乱 ,  磁場 ,  *異方性 ,  *単結晶 ,  Hall抵抗 ,  べき乗則 ,  高品質
準シソーラス用語： *輸送特性 ,  *Weyl半金属 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 金属結晶の電子伝導  (BM03033M) ,  金属系超伝導体の物性  (BM04022R)

タイトルに関連する用語 (5件)： Weyl半金属 ,  単結晶 ,  電子 ,  輸送特性 ,  異方性