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J-GLOBAL ID：201802232460558733   整理番号：18A0163639

AC-DCアダプタのための適応二重エッジ不感時間変調を用いたGaNベースMHzアクティブクランプフライバックコンバータ【Powered by NICT】

A GaN-based MHz active clamp flyback converter with adaptive dual edge dead time modulation for AC-DC adapters

著者 (3件)： Tang Shengpeng (Institute of VLSI Design, Zhejiang University, Hangzhou, China, 310027) ,  Xi Jianxiong (Institute of VLSI Design, Zhejiang University, Hangzhou, China, 310027) ,  He Lenian (Institute of VLSI Design, Zhejiang University, Hangzhou, China, 310027)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： IECON  ページ： 546-553  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： (GaN)窒化ガリウムを用いたアクティブクランプフライバック(ACF)変換器高電子移動度トランジスタ(HEMT)を,AC-DCアダプタ応用におけるシステムの小型化のための高スイッチング周波数と高い効率を達成することが期待される。高スイッチング速度と大きな逆伝導損失GaNデバイスのために,高周波ACFコンバータにおける不適切な不感時間の長さは厳しい振動と効率低下につながる可能性がある。GaN同期整流器のための一次GaN FETと零電流スイッチング(ZCS)のための理想的な零電圧スイッチング(Z VS)を実現できる適応二重エッジ不感時間変調による高周波と高効率ACFコンバータを提示した。高電圧0.18μmBCDプロセスにより設計されたコントローラICは,1MHzで動作し,普遍的な入力(100VAC 260VAC)と同様に広い負荷条件(0.33A 3.33A)下で不感時間長さを自動的に調整することによって65W(19.5V/3.3A)ACFコンバータ可能にすることができる。提案した適応二重エッジ不感時間制御により,ACF変換器は,94.3%の最大効率と最悪の場合で約80%の効率を達成することができる。添加では,このアナログIC解に基づく変換器は外部アクティブサンプリング装置,低システムコストをもたらすであろうを排除する。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： アナログ集積回路 ,  小型化 ,  零電圧スイッチング ,  HEMT ,  *アダプタ ,  HF【周波数】 ,  *窒化ガリウム ,  *不感時間 ,  制御装置 ,  変換器 ,  零電流スイッチング
準シソーラス用語： 高効率 ,  同期整流器 ,  スイッチング速度 ,  スイッチング周波数 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 電力変換器  (NB08030B)

タイトルに関連する用語 (8件)： Ac ,  DC ,  アダプタ ,  適応 ,  エッジ ,  不感時間 ,  変調 ,  GaN