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J-GLOBAL ID：201802232461212443   整理番号：18A0838217

パルスレーザ蒸着により成長させたYbドープ混合三二酸化物膜【JST・京大機械翻訳】

Yb-doped mixed-sesquioxide films grown by pulsed laser deposition

著者 (5件)： Prentice Jake J. (Optoelectronics Research Centre, University of Southampton, Southampton SO17 1BJ, UK) ,  Grant-Jacob James A. (Optoelectronics Research Centre, University of Southampton, Southampton SO17 1BJ, UK) ,  Shepherd David P. (Optoelectronics Research Centre, University of Southampton, Southampton SO17 1BJ, UK) ,  Eason Robert W. (Optoelectronics Research Centre, University of Southampton, Southampton SO17 1BJ, UK) ,  Mackenzie Jacob I. (Optoelectronics Research Centre, University of Southampton, Southampton SO17 1BJ, UK)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 491  ページ： 51-56  発行年： 2018年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 組成的に調整されたイッterドープ混合ルテチウム-スカンジウム酸化物,および純粋なルテチウムとスカンジウム結晶膜の成長と特性化について述べた。パルスレーザ蒸着を用いて,(0001)-サファイア基板上に20μmまでの厚さのこれらの三酸化膜を成長させた。ターゲット中のスカンジウムに対するルテチウムの原子比を変化させることにより,得られた膜の格子定数を単結晶cカットサファイア基板の格子定数と整合させることができ,それにより<0.1%の格子不整合を達成できた。成長パラメータの最適化は,膜内の望ましくない粒子と散乱点の減少をもたらした。X線回折測定は,バルク結晶に匹敵する結晶性を持つ(222)配向エピタキシャル成長を示した。極点図と電子後方散乱イメージング測定により,2つの反転立方格子配向がミクロンスケールのドメインで成長することが分かった。これらの格子整合混合三酸化物の成長は,超短レーザパルスの発生に適した高品質導波路の作製の道を開く。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 結晶度 ,  単結晶 ,  画像処理 ,  スカンジウム ,  *酸化膜 ,  格子不整合 ,  X線回折 ,  格子定数 ,  *パルスレーザ蒸着 ,  *ドーピング ,  *酸化物 ,  極点図 ,  ルテチウム ,  エピタクシー
準シソーラス用語： サファイア基板 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： X線回折(A1) ,  物理蒸着プロセス(A3) ,  希土類化合物(B1) ,  三二酸化物(B)

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： パルスレーザ蒸着 ,  成長 ,  Yb ,  ドープ ,  酸化物膜