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J-GLOBAL ID:201802232482894918   整理番号:18A0723278

Na_2O-SiO_2スラグ処理を用いたシリコンKERFからのホウ素のクリーンな強化除去【JST・京大機械翻訳】

Clean enhancing elimination of boron from silicon kerf using Na2O-SiO2 slag treatment
著者 (8件):
資料名:
巻: 186  ページ: 718-725  発行年: 2018年 
JST資料番号: W0750A  ISSN: 0959-6526  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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シリコンカーフ廃棄物は太陽電池生産のための高純度シリコンの回収のための二次資源として使用できる。ホウ素はシリコン中の最も有害な不純物の一つであり,その濃度は厳密に制御されるべきである。スラグ処理は,シリコンカーフから不純物,特にホウ素を抽出する有効な方法であると考えられている。本研究は,スラグ処理による鋸屑廃棄物から高純度シリコンを製造するためのプロセスの実現可能性と最適化を研究した。研究したスラグ系はNa_2O-SiO_2であり,保持時間,スラグ組成,およびスラグ:kerf比がホウ素分布に及ぼす影響を研究した。1923Kでのケイ素カーフの精製のための最適条件は,65wt%Na_2O-35wt%SiO_2のスラグと30分間の処理であることがわかった。これにより,シリコン中のホウ素濃度は8.6から1.0ppmwに減少し,除去効率は88%に相当した。ホウ素移動機構の研究は,スラグ中のホウ素の物質移動が全体プロセスの律速段階である可能性があることを示した。ケイ素とスラグ中のホウ素の物質移動係数は,それぞれ3.6×10~-6cm s-1と5.8×10~-6cm s-1であった。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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資源回収利用 
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