文献

J-GLOBAL ID：201802232526683651   整理番号：18A0885128

SiCMOSFETのスイッチング特性に及ぼす寄生容量の影響【JST・京大機械翻訳】

Influence of parasitic capacitance on switching characteristics of SiC MOSFET

著者 (6件)： Qin Haihong (南京航空航天大学自動化学院,南京,211106) ,  Zhang Ying (南京航空航天大学自動化学院,南京,211106) ,  Zhu Ziyue (南京航空航天大学自動化学院,南京,211106) ,  Wang Dan (南京航空航天大学自動化学院,南京,211106) ,  Fu Dafeng (南京航空航天大学自動化学院,南京,211106) ,  Zhao Chaohui (上海電机学院電气学院,上海,201306)
資料名： Zhongguo Keji Lunwen  (Zhongguo Keji Lunwen)
巻： 12  号： 23  ページ： 2708-2714  発行年： 2017年 
JST資料番号： C3242A  ISSN： 2095-2783  CODEN： ZKLHAF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： SiCMOSFETの高速スイッチング特性に及ぼす回路の寄生容量の影響を探究するため,理論解析と実験の結合方法を用い,寄生容量を考慮して,SiCMOSFETのスイッチング過程のモード解析を行い,各部分の寄生容量の影響を確立した。SiCMOSFETのスイッチング特性に対する寄生容量の影響を調べた。実験結果は,SiCMOSFETの電極容量の増加とともに,スイッチング速度が減少し,スイッチングエネルギーが増加し,スイッチング中の電圧と電流のピークが減少し,CJが増加すると,電流ピークの増加が起ることを示した。Data from Wanfang. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *漂遊容量 ,  高速度 ,  電流 ,  *スイッチング ,  モード解析 ,  電圧
準シソーラス用語： スイッチング速度 ,  理論解析 ,  *スイッチング特性 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (2件)： スイッチング特性 ,  寄生容量