文献

J-GLOBAL ID：201802232530786416   整理番号：18A0020086

~+e~-→H+γ補正第2主要次数Q CD【Powered by NICT】

Next-to-leading-order QCD corrections to e ⁺ e ^- → H + γ

著者 (10件)： Sang Wen-Long (School of Physical Science and Technology, Southwest University, Chongqing 400700, China) ,  Chen Wen (Institute of High Energy Physics and Theoretical Physics Center for Science Facilities, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China) ,  Chen Wen (School of Physics, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China) ,  Feng Feng (China University of Mining and Technology, Beijing 100083, China) ,  Feng Feng (Institute of High Energy Physics and Theoretical Physics Center for Science Facilities, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China) ,  Jia Yu (Institute of High Energy Physics and Theoretical Physics Center for Science Facilities, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China) ,  Jia Yu (School of Physics, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China) ,  Jia Yu (Center for High Energy Physics, Peking University, Beijing 100871, China) ,  Sun Qing-Feng (Department of Modern Physics, University of Science and Technology of China, Hefei, Anhui 230026, China) ,  Sun Qing-Feng (Institute of High Energy Physics and Theoretical Physics Center for Science Facilities, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China)
資料名： Physics Letters. B  (Physics Letters. B)
巻： 775  ページ： 152-159  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0779A  ISSN： 0370-2693  CODEN： PYLBA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： e+e →Hγ,レプトン衝突器でのハードな光子を用いたHiggsボソンの随伴生成は標準模型における小さい断面積を持つことが知られており,潜在的な新しい物理の信号のための高感度プローブとして役立つことができる。ループ誘起H iggs崩壊チャネルH→γγ,Zγと同様に,e+e →Hγ過程も小さい電子質量が無視されるならば1ループ次数で開始した。本研究では,この関連H+γ製造プロセスへの第2主要次数(NLO)QCD補正,グルオンドレッシングに由来するトップクォークループに主にを計算した。QCD補正は低い重心系エネルギー範囲(s<300 GeV)ではかなり穏やかである可能性があり,従ってCEPCのようなHiggs工場への影響がほとんどないことが分かった。それにもかかわらず,エネルギーはILCエネルギー範囲(s ≒ 400 GeV)にブーストされた場合,QCD補正を主要次数断面積を20~%増加させ可能性がある。いずれにしても,e+e →Hγ過程はs=250GeV付近の最大生産速度σmax≒0.08fbを持ち,CEPCはこの稀なHiggs生成プロセスを探すために最良の場所であることが分かった。高エネルギー限界では,第2主要次数Q CD補正の影響は完全に無視できるようになるが,これはLOとNLO断面積の漸近的なスケーリング挙動に起因することができ,前者は∝1s温和な減少を示すが,後者は∝1/2sはるかに速い減少を受ける。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： プローブ ,  チャネル ,  Higgsボソン ,  重心系エネルギー ,  規範モデル ,  レプトン ,  高感度 ,  生産工程 ,  *断面積 ,  ボソン ,  光子
準シソーラス用語： 高エネルギー ,  生産速度 ,  *次数 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： 標準モデル ,  H iggsボソン ,  QCD補正

分類 (2件)： 電子と陽電子の衝突によるハドロンの生成  (BF03080V) ,  光子及び荷電レプトンとハドロンとの相互作用  (BF03070K)

タイトルに関連する用語 (3件)： γ補正 ,  主要次数 ,  Cd