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J-GLOBAL ID：201802232561718299   整理番号：18A2154953

過剰ドープした超伝導ホウ素ドープダイヤモンド膜におけるT_c抑制と不純物バンド構造【JST・京大機械翻訳】

T_c suppression and impurity band structure in overdoped superconducting Boron-doped diamond films

著者 (7件)： Kumar Dinesh (Department of Physics, Nano Functional Materials Technology Centre (NFMTC) and Materials Science Research Centre (MSRC), Indian Institute of Technology Madras (IITM), Chennai 600036, India) ,  Chandran Maneesh (Department of Physics, Nano Functional Materials Technology Centre (NFMTC) and Materials Science Research Centre (MSRC), Indian Institute of Technology Madras (IITM), Chennai 600036, India) ,  Chandran Maneesh (Department of Physics, National Institute of Technology (NIT), Kozhikode 673601, India) ,  Shukla D.K. (UGC DAE Consortium for Scientific Research, Khandwa Road, Indore 01, India) ,  Phase D.M. (UGC DAE Consortium for Scientific Research, Khandwa Road, Indore 01, India) ,  Sethupathi K. (Department of Physics, Low Temperature Physics Laboratory, Indian Institute of Technology Madras, Chennai 600036, India) ,  Ramachandra Rao M.S. (Department of Physics, Nano Functional Materials Technology Centre (NFMTC) and Materials Science Research Centre (MSRC), Indian Institute of Technology Madras (IITM), Chennai 600036, India)
資料名： Physica C. Superconductivity and Its Applications  (Physica C. Superconductivity and Its Applications)
巻： 555  ページ： 28-34  発行年： 2018年 
JST資料番号： T0580A  ISSN： 0921-4534  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,RamanおよびX線吸収(XAS)分光法を用いて,一連の系統的にホウ素ドープしたダイヤモンド(BDD)膜の不純物バンドとコア励起子準位発展を調べた。抵抗率対温度データは,BDD膜のT_cが最大気相ホウ素対炭素比,[BC]maxでピークを達成することを示し,それ以上では,T_cは過剰欠陥形成の結果として徐々に低下し,ドーム形挙動を明らかにした。格子膨張の研究は,[BC]maxを超えた置換ホウ素原子の明白な存在を明確に示した。XASを用いた不純物バンドの直接プローブは,BC>[BC]maxの限界が超えると最終的に劣化するバンドギャップ状態の吸収強度の系統的な増加を示した。BDD 1sコア励起子の結合エネルギーは0.11eVの浅い測定値を示した。これは,固有ダイヤモンドに対する種々の報告において,0.19~1.2eVの以前に見出された値よりも小さい。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ホウ素 ,  バンドギャップ ,  *ダイヤモンド ,  *ドーピング ,  結合エネルギー ,  電気抵抗率 ,  コア励起 ,  プローブ ,  気相 ,  *超伝導 ,  X線吸収
準シソーラス用語： 格子膨張 ,  欠陥形成 ,  *不純物バンド ,  *ボロンドープダイヤモンド , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 酸化物系超伝導体の物性  (BM04023I) ,  金属系超伝導体の物性  (BM04022R)

タイトルに関連する用語 (4件)： ドープ ,  伝導 ,  ホウ素ドープダイヤモンド ,  不純物バンド