Co_xFe_3 xO_4ナノロッドの工学的磁気およびトンネリング磁気抵抗特性【Powered by NICT】

Mitra Arijit; Mohapatra Jeotikanta; Sharma Himanshu; Aslam Mohammed; Aslam Mohammed

文献

J-GLOBAL ID：201802232609678634 整理番号：18A0151008

Co_xFe_3 xO_4ナノロッドの工学的磁気およびトンネリング磁気抵抗特性【Powered by NICT】

Engineering Magnetic and Tunneling Magnetoresistance Properties of Co_xFe_3-xO₄ Nanorods

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資料名：
巻： 214 号： 12 ページ： ROMBUNNO.201700505 発行年： 2017年
JST資料番号： D0774A ISSN： 1862-6300 CODEN： PSSABA 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：ドイツ (DEU) 言語：英語 (EN)

社の種々の濃度のCo_xFe_3 xO_4ナノロッドを生成するために適用した簡単な陽イオン交換反応。Co~2+イオンとFe~2+の置換は,元の超常磁性Fe_3O_4ナノロッドの結晶磁気異方性と保磁力を増加させた。Fe_3O_4ナノロッド中のCo~2+の5 11%の原子濃度は多重トンネル接合型10K炭化水素長鎖アミン(オレイルアミン)官能化ナノロッド集合体で室温と2200 4050Oeで300 460Oeの保磁力を与え,有機アミン単分子層を,絶縁性トンネル障壁として作用する。Co_xFe_3 xO_4ナノロッドは室温での磁気抵抗スイッチング挙動を示し,スイッチング磁場は保磁力と一致した。14 15%のTMRはCo_xFe_3 xO_4ナノロッド集合体,±2Tの磁場で150Kで23 26%に増加する中,室温で記録した。室温でCo_0 0.33Fe_2 0.67O_4ナノロッドの計算したスピン分極は52%であった。CoドープFe_3O_4ナノロッド集合体におけるFe_3O_4と同様のスピン分極とTMRが得られた。,Coイオンの制御されたドーピングはそれらのTMR性能,メモリ素子にとって非常に有用となり得るを妨げない「超常磁性」Fe_3O_4の保磁力と残留磁化の技術者達。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

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金属結晶の磁性

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