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J-GLOBAL ID：201802232651590818   整理番号：18A0159731

AlGaN/GaNH EMTのための擬物理的コンパクト大信号モデル【Powered by NICT】

A Quasi-Physical Compact Large-Signal Model for AlGaN/GaN HEMTs

著者 (12件)： Wen Zhang (School of Electronic Engineering, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China) ,  Xu Yuehang (School of Electronic Engineering, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China) ,  Chen Yongbo (School of Electronic Engineering, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China) ,  Tao Hongqi (Nanjing Electron Devices Institute, Nanjing, China) ,  Ren Chunjiang (Nanjing Electron Devices Institute, Nanjing, China) ,  Lu Haiyan (Nanjing Electron Devices Institute, Nanjing, China) ,  Wang Zhensheng (Nanjing Electron Devices Institute, Nanjing, China) ,  Zheng Weibin (Nanjing Electron Devices Institute, Nanjing, China) ,  Zhang Bin (Nanjing Electron Devices Institute, Nanjing, China) ,  Chen Tangsheng (Nanjing Electron Devices Institute, Nanjing, China) ,  Gao Tao (Nanjing Electron Devices Institute, Nanjing, China) ,  Xu Ruimin (School of Electronic Engineering, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China)
資料名： IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques  (IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques)
巻： 65  号： 12  ページ： 5113-5122  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0229A  ISSN： 0018-9480  CODEN： IETMAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)の正確な準物理的コンパクトな大信号モデルを提案した。ドレイン電流I_ds発現は領域分割法と表面電位理論を組み合わせることにより得られた。提案I_dsモデルは十九の経験的パラメータを含むだけで,自己加熱,周囲温度,および捕獲効果を考慮した。自己加熱効果は,臨界電場E_cの温度とゲート電圧の多項式関数によりモデル化した。また周囲温度効果はピンチオフ電圧と最大電子飽和速度を修正することによってモデル化した。トラッピング効果は,有効ゲート ソース電圧法を考察した。さらに,良好な物理的意味の利点を利用して,提案したI_dsモデルはスケーラブルである。住宅において異なるサイズの0.15μm GaNH EMTはf0=30GHzで広い周囲温度範囲,パルスI V,50GHzまで多重バイアスSパラメータと多重バイアス大信号特性上の直流I-Vモデルを検証するために用いた。良好な結果は,提案した準物理的領域分割モデルであるミリ波GaNH EMT開発と回路設計に有用であることを示した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *モデル ,  電圧 ,  信号特性 ,  回路設計 ,  多重化 ,  バイアス ,  *窒化ガリウム ,  セグメンテーション ,  モデリング ,  HEMT
準シソーラス用語： Sパラメータ ,  周囲温度 ,  自己加熱 ,  ドレイン電流 ,  *大信号モデル , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  増幅回路  (NC05040U)

タイトルに関連する用語 (5件)： AlGaN ,  EMT ,  物理 ,  コンパクト ,  大信号モデル