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J-GLOBAL ID:201802232735053141   整理番号:18A1569449

周波数領域変調赤外放射測定を用いたCrドープZnSeおよびZnTe結晶におけるクロム遷移の放射寿命測定について【JST・京大機械翻訳】

On radiative lifetime measurement of chromium transitions in Cr doped ZnSe and ZnTe crystals using the frequency domain modulated infrared radiometry
著者 (1件):
資料名:
巻: 92  ページ: 90-95  発行年: 2018年 
JST資料番号: H0184A  ISSN: 1350-4495  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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ZnSe:Cr結晶におけるクロム遷移の放射寿命を変調赤外放射測定法により決定し,得られたデータの精度をZnTe:Cr結晶から最近研究されたものと共に解析した。ZnSe:Cr結晶におけるクロム遷移の放射寿命は,光ルミネセンス応答から推定でき,さらに,Inrasil窓を用いて,非常に良好な精度でフィルタをかけることができた。寿命の推定に及ぼす光強度の影響を研究して,光強度の増加とともに寿命が減少することが観察された。また,ZnTe:Cr結晶において,光強度の増加とともに寿命は減少することが分かった。しかし,ZnSe:Crにおいて,推定誤差の精度はZnTe:Crの光強度に依存しない。推定誤差は光強度の増加とともに増加する。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (3件):
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半導体のルミネセンス  ,  半導体の格子欠陥  ,  半導体薄膜 

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