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J-GLOBAL ID：201802232814836664   整理番号：18A1722643

GaAsSbNベース太陽電池用のタイプIおよびタイプII超格子における組成不均一性:熱アニーリングの効果【JST・京大機械翻訳】

Compositional inhomogeneities in type-I and type-II superlattices for GaAsSbN-based solar cells: Effect of thermal annealing

著者 (8件)： Braza V. (University Research Institute on Electron Microscopy & Materials, (IMEYMAT) Universidad de Cadiz, 11510 Puerto Real (Cadiz), Spain) ,  Reyes D.F. (University Research Institute on Electron Microscopy & Materials, (IMEYMAT) Universidad de Cadiz, 11510 Puerto Real (Cadiz), Spain) ,  Gonzalo A. (Institute for Systems based on Optoelectronics and Microtechnology (ISOM), Universidad Politecnica de Madrid, Avda. Complutense 30, 28040 Madrid, Spain) ,  Utrilla A.D. (Institute for Systems based on Optoelectronics and Microtechnology (ISOM), Universidad Politecnica de Madrid, Avda. Complutense 30, 28040 Madrid, Spain) ,  Ulloa J.M. (Institute for Systems based on Optoelectronics and Microtechnology (ISOM), Universidad Politecnica de Madrid, Avda. Complutense 30, 28040 Madrid, Spain) ,  Flores S. (University Research Institute on Electron Microscopy & Materials, (IMEYMAT) Universidad de Cadiz, 11510 Puerto Real (Cadiz), Spain) ,  Ben T. (University Research Institute on Electron Microscopy & Materials, (IMEYMAT) Universidad de Cadiz, 11510 Puerto Real (Cadiz), Spain) ,  Gonzalez D. (University Research Institute on Electron Microscopy & Materials, (IMEYMAT) Universidad de Cadiz, 11510 Puerto Real (Cadiz), Spain)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 459  ページ： 1-8  発行年： 2018年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaAsSbN合金は,GaAsへの格子整合成長の利点と約1.0eVのバンドギャップを達成する能力により,多接合太陽電池応用に組み込まれる有効な候補として認識されている。最近,タイプII(GaAsSb/GaAsN)とタイプI(GaAsSbN/GaAs)アラインメントを可能にする超格子(SL)構造の使用は,それらの厚い四元バルク対応物と比較して,強く高いルミネセンスと著しいEQEを示した。本研究では,RTA処理前後のSL構造における組成分布とその光学的性質の間の相関を解析した。最初に,Nは公称設計に従って閉じ込められるが,SbはRTA後でも成長方向に沿って類似の組成プロファイルを達成する上層への強い偏析を示す。しかし,SLタイプIIアプローチは,SLタイプIよりも高い界面品質とクラスタ形成に対するはるかに低い傾向を示した。第二に,RTAは,両方の構造におけるクラスタに関連する面積の減少と共に,界面粗さの改善をもたらす。両試料におけるアニーリングによって誘起されたPL強度の青方偏移と改善は,Sb不均一性の溶解よりも孤立した置換窒素への窒素対の分解により相関している。Sbクラスタ周辺の新しい置換N原子の異なる分布は,アニーリング中の両SLのPL改善の違いを説明できた。SLタイプIIアプローチはクラスタ形成を最小化し,より急峻な界面を得るための最良の設計であり,SLタイプI構造と比較して光増強を主に記述する。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 青方偏移 ,  合金 ,  ルミネセンス ,  バンドギャップ ,  RTA【熱処理】 ,  *超格子 ,  界面 ,  窒素 ,  偏析 ,  クラスタ ,  *焼なまし ,  *ヒ化ガリウム ,  アラインメント ,  *太陽電池 ,  *アンチモン

著者キーワード (3件)： 超格子構造 ,  組成分布 ,  TEM

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 太陽電池 ,  タイプ ,  超格子 ,  組成 ,  不均一性 ,  熱アニーリング