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J-GLOBAL ID：201802232947688949   整理番号：18A1865303

単一層MOS_2上のエピジェネティクス修飾DNA核酸塩基の吸着特性:第一原理研究【JST・京大機械翻訳】

Adsorption characteristics of epigenetically modified DNA nucleobases on single-layer MoS₂: A first-principles study

著者 (3件)： Tabatabaei Seyed-Mohammad (School of Electrical and Computer Engineering, University College of Engineering, University of Tehran, Tehran 14395-515, Iran) ,  Pourfath Mahdi (School of Electrical and Computer Engineering, University College of Engineering, University of Tehran, Tehran 14395-515, Iran) ,  Fathipour Morteza (School of Electrical and Computer Engineering, University College of Engineering, University of Tehran, Tehran 14395-515, Iran)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 124  号： 13  ページ： 134501-134501-11  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単層二硫化モリブデン(SL-MoS_2)基板上の四つの正準及び六つのエピジェネティック修飾DNA核酸塩基の吸着特性に関する包括的van der Waals密度汎関数理論研究を報告した。全ての考えられた核酸塩基はSL-MoS_2上に物理吸着され,中程度の電子移動を示し,吸着質からSL-MoS_2への範囲は0.007E~~0.041e-の範囲であった。SL-MoS_2シート上のアデニン,シトシン,グアニン及びチミンの物理吸着において,仕事関数はそれぞれ0.29,0.09,0.54及び0.01eV減少した。SL-MoS_2のバンドギャップは,誘導された分子平坦バンドがエネルギーギャップ領域または価電子帯最大の近傍のいずれかに現れる傾向があるので,核酸塩基分子の吸着を通して,30%まで著しく減少することができることを示した。著者らは,SL-MoS_2に基づく前向きDNA配列決定応用における核酸塩基分子の選択的検出のための潜在的プローブとして役立つ可能性がある核酸塩基吸着に関する異なる電子エネルギー損失スペクトルの出現を明らかにした。Copyright 2018 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 密度汎関数法 ,  物理吸着 ,  *エピジェネティクス ,  *DNA【核酸】 ,  プローブ ,  *吸着 ,  *核酸塩基 ,  価電子バンド ,  バンドギャップ ,  *第一原理 ,  *単一層 ,  窒素複素環化合物 ,  ウレア化合物 ,  ヒドロキシ化合物

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

物質索引 (4件)： チミン ,  グアニン ,  シトシン ,  アデニン

タイトルに関連する用語 (8件)： 単一層 ,  エピジェネティクス ,  修飾 ,  DNA ,  核酸塩基 ,  吸着特性 ,  第一原理 ,  研究