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J-GLOBAL ID:201802232958983279   整理番号:18A0160986

はCIGS性能はマイクロスケールでの温度に及ぼすをするか【Powered by NICT】

How Does CIGS Performance Depend on Temperature at the Microscale?
著者 (9件):
資料名:
巻:号:ページ: 278-287  発行年: 2018年 
JST資料番号: W2305A  ISSN: 2156-3381  CODEN: IJPEG8  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
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マイクロスケールでの電気的性能,元素分布,および欠陥の間の相関は,全体的な太陽電池性能の理解と改善のために重要である。これは多結晶吸収体層を持つ太陽電池のための一般的に真であるけれども,複雑な四次CuIn_xGa_1 xSe_2(CIGS)材料系の欠陥エンジニアリングのために特に重要である。標準環境条件下でこれらの関係を研究する重要な洞察を提供することができるが,実際の運転条件下でのセルの挙動に対する入力を提供しない。本論文では,マイクロスケールでのCIGS中の欠陥と電圧の複雑な温度依存性を詳しく見る。相関X線顕微鏡法とミクロスケールでの局所的に発生した電圧と元素組成の温度依存測定の適応を開発した。は100°Cまでこれらの技術室温から温度をカバーする産業用CIGS太陽電池に適用した。主要な吸収体成分の元素分布と相関しないことを多重粒にわたる標準以下の領域を見出した。しかし,成績の悪い領域は高性能地域と比べてより高い温度で良好に動作することを実証した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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太陽電池 
タイトルに関連する用語 (2件):
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